| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 铋的基本性质和早期研究 | 第11-14页 |
| 1.2 拓扑绝缘体和拓扑半金属 | 第14-24页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体 | 第14-22页 |
| 1.2.2 拓扑半金属 | 第22-24页 |
| 1.3 Rashba效应 | 第24-26页 |
| 第二章 实验技术与原理 | 第26-50页 |
| 2.1 角分辨光电子能谱 | 第26-43页 |
| 2.1.1 角分辨光电子能谱的历史 | 第26-27页 |
| 2.1.2 角分辨光电子谱的基本原理 | 第27-36页 |
| 2.1.3 上海交通大学角分辨光电子能谱仪 | 第36-38页 |
| 2.1.4 带自旋分辨的角分辨光电子谱仪 | 第38-43页 |
| 2.2 超高真空技术与分子束外延 | 第43-50页 |
| 2.2.1 超高真空技术 | 第43-45页 |
| 2.2.2 分子束外延技术 | 第45-50页 |
| 第三章 螺旋型狄拉克锥中的多体相互作用研究 | 第50-70页 |
| 3.1 研究背景 | 第50-54页 |
| 3.2 样品制备 | 第54-56页 |
| 3.3 对Bi(111)/Bi_2Te_3和Bi(111)/Bi_2Se_3的ARPES研究 | 第56-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第四章 不同类型螺旋型狄拉克圆锥中电子自旋构型的研究 | 第70-89页 |
| 4.1 研究背景 | 第70-75页 |
| 4.2 对三种狄拉克锥自旋构型的SR-ARPES和理论研究 | 第75-88页 |
| 4.3 本章小结 | 第88-89页 |
| 第五章 多层Bi(111)薄膜的电子结构研究 | 第89-104页 |
| 5.1 研究背景 | 第89-93页 |
| 5.2 样品制备 | 第93-94页 |
| 5.3 不同厚度超薄Bi(111)薄膜的ARPES和理论研究 | 第94-103页 |
| 5.4 本章小论 | 第103-104页 |
| 第六章 全文总结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-116页 |
| 附录 符号与标记 | 第116-118页 |
| 攻读博士学位期间已发表或录用的论文 | 第118-121页 |
| 致谢 | 第121-124页 |
