| 中文摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 场效应晶体管的发展历程 | 第10-11页 |
| 1.3 有机场效应晶体管（OFETs）的优势 | 第11-12页 |
| 1.4 OFETs的研究现状及应用领域 | 第12-14页 |
| 1.5 OFETs的基本结构与工作原理 | 第14-15页 |
| 1.6 OFETs的性能参数 | 第15-18页 |
| 1.7 OFETs材料的选择 | 第18-20页 |
| 1.8 OFETs的存在的问题和发展前景 | 第20-21页 |
| 1.9 本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 p-6P诱导C_60薄膜生长的OFETs性能提高研究 | 第23-31页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 C_60-OFETs器件的制备与性能测试 | 第23-28页 |
| 2.2.1 实验材料与仪器设备 | 第23-25页 |
| 2.2.2 OFETs器件的制备 | 第25-27页 |
| 2.2.3 器件性能测试与结果 | 第27-28页 |
| 2.3 实验结果分析与讨论 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 p-6P诱导并五苯衍生物OFETs器件的性能提高研究 | 第31-38页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 并五苯衍生物OFETs器件的制备和测试 | 第31-35页 |
| 3.2.1 实验材料和仪器设备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 OFETs器件的制备 | 第32-34页 |
| 3.2.3 器件性能测试与结果 | 第34-35页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 p-4P诱导苝四酰亚二胺衍生物OFETs器件性能提高研究 | 第38-44页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 苝四酰亚二胺衍生物的介绍 | 第38-39页 |
| 4.3 苝四酰亚二胺衍生物在OFETs中的应用 | 第39-41页 |
| 4.4 器件性能测试与结果分析 | 第41-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 基于p-4P诱导及电极修饰的CuPc-OFETs器件性能提高研究 | 第44-51页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 材料与实验 | 第44-46页 |
| 5.2.1 实验材料 | 第44-45页 |
| 5.2.2 实验部分 | 第45-46页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第46-50页 |
| 5.3.1 器件的电特性测试 | 第46-47页 |
| 5.3.2 材料的表面形貌测试 | 第47-48页 |
| 5.3.3 材料的表面电势测试 | 第48-49页 |
| 5.3.4 器件的接触电阻测量 | 第49-50页 |
| 5.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 全文总结及展望 | 第51-53页 |
| 6.1 全文结论 | 第51-52页 |
| 6.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
