| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 电磁兼容概述 | 第10-13页 |
| 1.1.1 电磁兼容及电磁干扰的危害 | 第10-11页 |
| 1.1.2 电容兼容技术的发展概况 | 第11-13页 |
| 1.2 功率VDMOS的EMI研究现状和发展趋势 | 第13-17页 |
| 1.2.1 功率VDMOS的发展 | 第13-15页 |
| 1.2.2 功率VDMOS的EMI的研究现状和发展趋势 | 第15-17页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第17页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 VDMOS器件基本理论 | 第19-30页 |
| 2.1 VDMOS的工作原理 | 第19-21页 |
| 2.2 VDMOS的电学特性 | 第21-29页 |
| 2.2.1 VDMOS的静态特性 | 第21-24页 |
| 2.2.2 VDMOS的动态特性 | 第24-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 功率VDMOS的EMI分析与抑制技术 | 第30-39页 |
| 3.1 功率VDMOS的EMI产生机理分析 | 第30-36页 |
| 3.1.1 寄生电容引发的振荡 | 第30-32页 |
| 3.1.2 栅极电压的振荡 | 第32-34页 |
| 3.1.3 漏极电压的振荡 | 第34-35页 |
| 3.1.4 寄生体二极管引发的振荡 | 第35-36页 |
| 3.2 功率VDMOS的EMI抑制技术 | 第36-38页 |
| 3.2.1 优化VDMOS器件的寄生参数 | 第37-38页 |
| 3.2.2 优化VDMOS体二极管软度因子 | 第38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 功率VDMOS的EMI仿真验证与测试分析 | 第39-62页 |
| 4.1 功率VDMOS的EMI仿真验证 | 第39-52页 |
| 4.1.1 VDMOS元胞结构 | 第39-40页 |
| 4.1.2 元胞电学参数仿真结果 | 第40-42页 |
| 4.1.3 仿真验证影响VDMOS EMI性能的参数 | 第42-52页 |
| 4.2 功率VDMOS的EMI测试分析 | 第52-61页 |
| 4.2.1 LED驱动电源的整机EMI测试分析 | 第52-55页 |
| 4.2.2 功率VDMOS动态特性测试分析 | 第55-58页 |
| 4.2.3 功率VDMOS的寄生体二极管测试 | 第58-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |