| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体激光器的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 大功率半导体激光器 | 第10-12页 |
| 1.2.1 大功率半导体激光器的发展现状 | 第10页 |
| 1.2.2 大功率半导体激光器存在的主要问题 | 第10-11页 |
| 1.2.3 提高半导体激光器输出光功率的措施 | 第11-12页 |
| 1.3 多有源区大功率半导体激光器 | 第12-14页 |
| 1.3.1 多有源区大功率半导体激光器的机理 | 第12-13页 |
| 1.3.2 多有源区大功率半导体激光器的优点 | 第13-14页 |
| 1.3.3 多有源区大功率半导体激光器的研究现状 | 第14页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第14-17页 |
| 第2章 905nm多有源区半导体激光器 | 第17-27页 |
| 2.1 半导体激光器的基本结构 | 第17-18页 |
| 2.2 905nm多有源区半导体激光器激射的三要素 | 第18-21页 |
| 2.2.1 粒子数反转分布 | 第18-19页 |
| 2.2.2 谐振腔 | 第19-20页 |
| 2.2.3 光增益大于损耗 | 第20-21页 |
| 2.3 905nm多有源区半导体激光器的主要特征参数 | 第21-25页 |
| 2.3.1 半导体激光器的电学特性参数 | 第22-23页 |
| 2.3.2 半导体激光器的光学特性参数 | 第23页 |
| 2.3.3 半导体激光器的光电特性参数 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 905nm多有源区半导体激光器的电流输运 | 第27-45页 |
| 3.1 半导体体材料的电流输运 | 第27-31页 |
| 3.1.1 理论模型 | 第27-29页 |
| 3.1.2 数值方法 | 第29-31页 |
| 3.1.3 数值结果 | 第31页 |
| 3.2 多有源区半导体激光器的电流输运 | 第31-44页 |
| 3.2.1 理论模型 | 第31-36页 |
| 3.2.2 数值方法 | 第36-39页 |
| 3.2.3 数值结果 | 第39-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 905nm多有源区半导体激光器的制备 | 第45-57页 |
| 4.1 905nm半导体激光器的外延工艺介绍 | 第45-46页 |
| 4.2 905nm半导体激光器的后工艺介绍 | 第46-54页 |
| 4.2.1 清洗 | 第47页 |
| 4.2.2 光刻 | 第47-50页 |
| 4.2.3 腐蚀GaAs、PECVD、溅射、快速退火 | 第50-51页 |
| 4.2.4 器件封装 | 第51-54页 |
| 4.3 器件测试 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
