| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 研究意义 | 第14页 |
| 1.4 研究内容 | 第14-15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-17页 |
| 第2章 非接触充电技术 | 第17-25页 |
| 2.1 非接触充电技术的类型 | 第17-20页 |
| 2.1.1 非接触感应方式 | 第17页 |
| 2.1.2 磁耦合共振方式 | 第17-18页 |
| 2.1.3 电波辐射方式 | 第18页 |
| 2.1.4 三种充电方式对比 | 第18-20页 |
| 2.2 非接触感应充电系统组成 | 第20-24页 |
| 2.2.1 整流滤波电路 | 第20-21页 |
| 2.2.2 高频逆变电路 | 第21-24页 |
| 2.2.3 初级和次级补偿 | 第24页 |
| 2.3 设计要求 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 松耦合变压器设计 | 第25-39页 |
| 3.1 Qi标准A11型线圈 | 第25-26页 |
| 3.2 松耦合变压器仿真 | 第26-31页 |
| 3.2.1 线圈匝数N对耦合系数K的影响 | 第27-28页 |
| 3.2.2 线圈直径D对耦合系数K的影响 | 第28-30页 |
| 3.2.3 初、次级线圈之间的偏移量对耦合系数K的影响 | 第30-31页 |
| 3.3 屏蔽体的设计 | 第31-36页 |
| 3.3.1 次级侧屏蔽形状对耦合系数的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2 次级屏蔽厚度对耦合系数的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.3 次级侧屏蔽与次级线圈之间的距离对耦合系数的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.4 初级侧屏蔽形状对耦合系数的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.5 初级侧屏蔽厚度对耦合系数的影响 | 第35页 |
| 3.3.6 初级侧屏蔽与初级线圈之间的距离对耦合系数的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 仿真结果 | 第36-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 非接触感应传输系统的补偿 | 第39-55页 |
| 4.1 系统的补偿 | 第39页 |
| 4.2 系统的补偿方法 | 第39-49页 |
| 4.3 八种补偿方式的对比 | 第49-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 系统主电路设计与仿真 | 第55-67页 |
| 5.1 系统主电路设计 | 第55-60页 |
| 5.1.1 初级侧整流滤波电路 | 第55-56页 |
| 5.1.2 高频逆变电路 | 第56-58页 |
| 5.1.3 补偿电路 | 第58页 |
| 5.1.4 次级侧整流滤波电路 | 第58-60页 |
| 5.2 主电路仿真 | 第60-64页 |
| 5.3 系统传输效率 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 总结与展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 作者简介 | 第73页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第73-74页 |
