| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·有机电子学背景介绍 | 第9-10页 |
| ·有机存储器概述 | 第10-11页 |
| ·本文研究意义和主要工作 | 第11-14页 |
| ·研究意义 | 第11-12页 |
| ·主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 有机场效应晶体管存储器概述 | 第14-29页 |
| ·有机场效应晶体管存储器背景介绍 | 第14-18页 |
| ·有机场效应晶体管存储器结构和基本参数 | 第14-16页 |
| ·有机场效应晶体管存储器主要制备材料 | 第16-18页 |
| ·OFET存储器分类和工作原理 | 第18-24页 |
| ·OFET存储器分类 | 第18-22页 |
| ·有机场效应晶体管存储器工作原理 | 第22-24页 |
| ·具有多孔结构的有机场效应晶体管存储器制备方法 | 第24-27页 |
| ·多孔结构有机场效应晶体管存储器简介 | 第24-25页 |
| ·多孔聚合物薄膜的制备 | 第25页 |
| ·器件的制备 | 第25-27页 |
| ·存储器器件的性能测试和表征 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 呼吸图法制备PMMA多孔薄膜 | 第29-43页 |
| ·前言 | 第29-35页 |
| ·呼吸图法制备多孔结构聚合物薄膜 | 第29-32页 |
| ·多孔结构的形成机理 | 第32-34页 |
| ·多孔结构形成的影响因素 | 第34-35页 |
| ·PMMA多孔聚合物薄膜的制备 | 第35-43页 |
| ·实验部分 | 第35-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·本章小结 | 第43页 |
| 第四章 利用多孔结构调节隧穿层势垒制备高性能存储器件 | 第43-54页 |
| ·有机隧穿层对存储器性能的重要性 | 第43-44页 |
| ·基于多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器性能研究 | 第44-51页 |
| ·器件制备和性能表征 | 第44-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-51页 |
| ·多孔结构存储器机理解释和物理模型 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 利用不同聚合物混掺调节存储层制备高性能存储器 | 第54-60页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·器件制备与表征 | 第54-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第64-65页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第65-66页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
