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常压射频等离子体增强化学气相沉积三维多孔TiO2纳米晶薄膜的机理研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第一章 绪论第12-31页
   ·引言第12-13页
   ·TiO_2的结构特性第13-17页
     ·TiO_2的晶体结构第13-15页
     ·TiO_2的能带结构第15-16页
     ·TiO_2晶体表面结构和缺陷第16-17页
   ·TiO_2光催化应用第17-19页
     ·半导体催化机理第17-19页
     ·TiO_2光催化材料研究现状第19页
   ·染料敏化太阳能电池第19-25页
     ·染料敏化太阳能电池工作机理第20-22页
     ·染料敏化太阳能电池光阳极研究现状第22-25页
   ·三维TiO_2结构薄膜第25-26页
     ·三维TiO_2结构薄膜的优点第25页
     ·三维结构TiO_2薄膜的制备方法第25-26页
   ·等离子体化学气相沉积第26-29页
     ·等离子体化学气相沉积技术第26-27页
     ·介质阻挡放电第27-28页
     ·DBD-APCVD发展现状第28-29页
   ·本文研究意义及内容第29-31页
     ·研究意义第29-30页
     ·研究内容第30-31页
第二章 实验部分第31-42页
   ·实验装置和试剂第31-34页
     ·实验装置第31-32页
     ·实验试剂第32-33页
     ·实验流程第33-34页
   ·常压非平衡等离子体诊断第34-39页
     ·电流-电压曲线第34-35页
     ·常压非平衡等离子体发射光谱诊断第35-38页
     ·TC诊断等离子体气体温度第38-39页
   ·TiO_2薄膜的表征第39-41页
     ·TiO_2薄膜的表面形貌第39-40页
     ·TiO_2薄膜品相和结晶度表征第40-41页
   ·本章小结第41-42页
第三章 等离子体诊断第42-57页
   ·电流-电压曲线诊断第43-48页
     ·功率对放电的影响第43-44页
     ·氩气流量对放电的影响第44-46页
     ·O_2流量对放电的影响第46-47页
     ·TiCl_4流量对I-V曲线的影响第47-48页
   ·OES监控等离子体变化第48-52页
     ·光谱诊断装置及测量方法第49页
     ·Ar/O_2/TiCl_4体系的全光谱分析第49-50页
     ·放电功率对等离子体的影响第50页
     ·Ar流量对等离子体的影响第50-51页
     ·O_2流量对等离子体的影响第51-52页
     ·TiCl_4流量对等离子体的影响第52页
   ·等离子体温度诊断第52-56页
     ·OES诊断Ar/O_2/TriCl_4体系T_e第53页
     ·OES诊断Ar/O_2/TiCl_4体系T_i第53-55页
     ·TC诊断等离子体气体温度第55-56页
   ·本章小结第56-57页
第四章 气相过程研究第57-75页
   ·气相反应过程第57-60页
     ·数值模拟第57-58页
     ·基于OES的气相产物分析第58-59页
     ·气相产物的生成第59-60页
   ·气相产物的生长和输运第60-63页
     ·颗粒充电理论第60-61页
     ·气相产物的生长第61-62页
     ·气相产物的输运第62-63页
   ·气相产物的表征第63-66页
     ·气相产物收集第64页
     ·气相产物表征第64-66页
   ·气相产物的成分的调控第66-69页
     ·功率调控第67-68页
     ·氧气调控第68-69页
   ·气相产物的结晶的调控第69-74页
     ·功率调控第69-71页
     ·滞留时间调控第71-74页
   ·本章小结第74-75页
第五章 沉积机理第75-80页
   ·薄膜沉积简述第75-76页
     ·吸附和凝结第75-76页
     ·形核与生长第76页
     ·薄膜沉积机理第76-79页
     ·成核第76-77页
     ·沉积机理第77-78页
     ·机理验证第78-79页
   ·本章小结第79-80页
第六章 总结第80-82页
   ·结论第80-81页
   ·展望第81-82页
参考文献第82-86页
硕士期间发表论文第86-87页
致谢第87页

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