单晶硅精密研抛的分子动力学仿真及试验研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| ·研究的背景和意义 | 第12-13页 |
| ·国内外的研究现状 | 第13-21页 |
| ·硬脆材料的研磨/抛光技术 | 第15-19页 |
| ·化学机械抛光技术 | 第19-20页 |
| ·国内研究现状 | 第20-21页 |
| ·本文的研究内容 | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第二章 试验方法和试验设备 | 第23-37页 |
| ·单晶硅材料 | 第23-27页 |
| ·单晶硅片的结构特性 | 第23-25页 |
| ·单晶硅片的外形种类 | 第25-26页 |
| ·单晶硅的断裂特性 | 第26-27页 |
| ·单晶硅片试件 | 第27-28页 |
| ·碳化硅磨料 | 第28-29页 |
| ·主要试验设备及测试仪器 | 第29-30页 |
| ·装置介绍 | 第29-30页 |
| ·Bni62 的辅助设备 | 第30页 |
| ·工件制备方法及工艺准备 | 第30-34页 |
| ·单晶硅片的制备方法 | 第30-32页 |
| ·研磨的工艺流程 | 第32-33页 |
| ·研磨工件平整度的保持 | 第33-34页 |
| ·试验原料和试剂 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 硅片超精密研磨的试验研究 | 第37-55页 |
| ·硅片超精密研磨加工原理 | 第37-38页 |
| ·超精密研磨的关系式 | 第38-40页 |
| ·超精密研磨试验 | 第40-53页 |
| ·磨料粒度对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第40-43页 |
| ·研磨压力对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第43-45页 |
| ·研磨盘转速对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第45-48页 |
| ·磨料浓度对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第48-49页 |
| ·不同晶向硅片的研磨去除率和粗糙度的影响 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 硅片抛光的试验研究 | 第55-67页 |
| ·单晶硅表面材料抛光去除模型和机理 | 第55-60页 |
| ·硅片抛光的试验条件 | 第60页 |
| ·抛光的影响因素 | 第60-65页 |
| ·抛光压力对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第60-62页 |
| ·抛光转速对表面粗糙度和去除率的影响 | 第62-63页 |
| ·抛光液供给量对材料去除率和表面粗糙度的影响 | 第63-64页 |
| ·抛光时间对表面粗糙度的影响 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 分子动力学研抛仿真 | 第67-83页 |
| ·分子动力学方法的基本原理和理论基础 | 第67-68页 |
| ·边界条件 | 第68-70页 |
| ·原子间的相互作用势 | 第70-72页 |
| ·Morse 势函数 | 第71页 |
| ·Tersoff 势函数 | 第71-72页 |
| ·宏观统计量的提取 | 第72-73页 |
| ·．径向分布函数 | 第72-73页 |
| ·．温度 | 第73页 |
| ·．压力 | 第73页 |
| ·经典三维纳米研磨加工模型的建立 | 第73-77页 |
| ·仿真模拟的流程图 | 第77页 |
| ·研磨过程中材料的去除以及表面质量的研究 | 第77-82页 |
| ·相同磨削前进速度，不同磨粒转速条件下的仿真模拟 | 第78-80页 |
| ·不同磨削速度下的仿真模拟 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 结论与展望 | 第83-87页 |
| ·结论 | 第83-84页 |
| ·展望 | 第84-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 作者成果简介 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
