外界条件对应变量子阱红外探测器探测峰的影响
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题研究物理背景 | 第9-10页 |
| ·半导体超晶格发展 | 第10-11页 |
| ·超晶格和量子阱 | 第11-12页 |
| ·超晶格的分类 | 第12-13页 |
| ·本文的主要内容 | 第13-15页 |
| 2. 量子阱红外探测器的基本原理 | 第15-26页 |
| ·红外探测器 | 第15-16页 |
| ·红外知识 | 第15页 |
| ·红外探测器的分类 | 第15-16页 |
| ·量子阱红外探测器发展 | 第16-22页 |
| ·QWIP 的几种跃迁模式 | 第16-20页 |
| ·量子阱结构的选择 | 第20页 |
| ·QWIP 的材料选择 | 第20-22页 |
| ·入射光的耦合 | 第22-24页 |
| ·QWIP 的性能参数 | 第24-26页 |
| 3. 半导体的能带和光吸收 | 第26-38页 |
| ·半导体中电子的状态和能级 | 第26-31页 |
| ·原子能级结构及晶体的能带 | 第26-28页 |
| ·自由电子的运动规律 | 第28-29页 |
| ·在外场作用下的电子运动 | 第29-31页 |
| ·半导体的能级 | 第31-34页 |
| ·常见半导体的能级 | 第32-34页 |
| ·外界条件对半导体带间跃迁的影响 | 第34-38页 |
| ·压力效应 | 第34-36页 |
| ·温度效应 | 第36页 |
| ·电场效应 | 第36-38页 |
| 4 外界条件对量子阱能级的影响 | 第38-50页 |
| ·量子阱能级的计算方法 | 第38-44页 |
| ·半导体势阱的量子态 | 第38-40页 |
| ·超晶格量子阱反射与干涉计算量子的子能级 | 第40-42页 |
| ·电子能级与电子相干相位差的关系 | 第42-44页 |
| ·在外界条件对量子阱子带的影响 | 第44-47页 |
| ·应变对量子阱红外探测器的影响 | 第47-50页 |
| 5 结论与展望 | 第50-51页 |
| ·全文小节 | 第50页 |
| ·进一步展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 硕士生阶段发表学术论文情况 | 第55页 |
