CMOS有源混频器噪声及射频接收前端关键技术研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·研究背景 | 第12-14页 |
| ·相关研究现状 | 第14-17页 |
| ·本文研究主要内容 | 第17-20页 |
| 第二章 射频接收前端及其混频器基础理论 | 第20-43页 |
| ·射频接收前端理论 | 第20-31页 |
| ·超外差式接收前端 | 第20-22页 |
| ·直接变频接收前端 | 第22-31页 |
| ·混频器理论 | 第31-43页 |
| ·混频器的原理 | 第31-34页 |
| ·混频器的分类 | 第34-37页 |
| ·混频器主要性能指标 | 第37-43页 |
| 第三章 CMOS 有源混频器的噪声特性研究 | 第43-80页 |
| ·序言 | 第43-45页 |
| ·亚微米 CMOS 有源混频器噪声解析模型 | 第45-63页 |
| ·简约 MOSFET 模型与开关对大信号方程 | 第46-47页 |
| ·混频器转换增益和增益系数 | 第47-52页 |
| ·噪声解析模型 | 第52-58页 |
| ·模型分析验证 | 第58-63页 |
| ·小结 | 第63页 |
| ·包含记忆效应的 CMOS 有源混频器噪声分析 | 第63-79页 |
| ·混频器转换增益和增益系数 | 第66-69页 |
| ·噪声解析模型 | 第69-75页 |
| ·模型分析验证 | 第75-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第四章 CMOS 有源混频器的转换增益特性研究 | 第80-92页 |
| ·序言 | 第80页 |
| ·混频器转换增益与驱动级有效跨导 | 第80-83页 |
| ·不同类型本振信号下的转换增益模型 | 第83-88页 |
| ·理想正弦波 | 第83-84页 |
| ·正弦波存在幅度失调 | 第84-85页 |
| ·正弦波存在相位失调 | 第85-86页 |
| ·正弦波存在幅度、相位失调 | 第86-88页 |
| ·模型分析验证 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 直接变频射频接收前端技术研究 | 第92-108页 |
| ·序言 | 第92-96页 |
| ·直接变频射频接收前端电路结构 | 第96-102页 |
| ·转换增益 | 第98-99页 |
| ·噪声 | 第99-100页 |
| ·直流失调 | 第100-102页 |
| ·电路仿真验证 | 第102-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第六章 总结与展望 | 第108-111页 |
| ·本文工作总结 | 第108-109页 |
| ·下一步工作展望 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-123页 |
| 附录一 线性周期时变理论推导证明 | 第123-126页 |
| 附录二 亚微米 MOSFET 简约连续噪声模型 | 第126-128页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第128-129页 |
