| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 1 引言 | 第7-22页 |
| ·光刻工艺的基本介绍 | 第7-11页 |
| ·改善光刻图像常见方法 | 第11-13页 |
| ·光刻图形缺陷的成因与OPC 技术 | 第13-20页 |
| ·光刻图形缺陷的形成 | 第14-17页 |
| ·OPC 修正方法与执行方式 | 第17-20页 |
| ·本文的研究目的与内容 | 第20-22页 |
| 2 OPC 模型准确性的优化 | 第22-48页 |
| ·光刻胶斜坡宽度权重修正 | 第22-32页 |
| ·加入光刻胶有效扩散长度的OPC 模型校准 | 第32-42页 |
| ·基于光掩膜校准的OPC 模型匹配 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 3 光刻图形缺陷的改善 | 第48-58页 |
| ·线端缩短的缺陷改善 | 第48-53页 |
| ·SRAM 区域的缺陷优化 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 4 总结 | 第58-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第66-68页 |