| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体的自发极化和压电极化效应 | 第15-18页 |
| ·Ⅲ族氮化物结构材料中极化效应的研究方法 | 第18-19页 |
| ·论文架构 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 极化场调制的理论设计 | 第25-57页 |
| ·理论计算方法 | 第25-32页 |
| ·Born-Oppenheimer近似 | 第26页 |
| ·Hartree-Fork近似 | 第26页 |
| ·密度泛函理论 | 第26-29页 |
| ·平面波和混合基展开的第一性原理赝势法 | 第29-32页 |
| ·定位共掺对局域极化场的调制 | 第32-39页 |
| ·定位共掺结构模型的构建 | 第33-34页 |
| ·局域极化场形成机理分析 | 第34-35页 |
| ·局域极化场对杂质溶解度的影响 | 第35-36页 |
| ·局域极化场对受主激活能的影响 | 第36-39页 |
| ·超晶格极化场调制的能带工程 | 第39-48页 |
| ·超晶格模型的构建 | 第40-41页 |
| ·Mg调制掺杂对AlGaN/GaN超晶格能带结构的影响 | 第41-46页 |
| ·Mg-和Si-δ共掺超晶格极化场调制的能带工程 | 第46-48页 |
| ·量子阱极化场调制的能带工程 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 第三章 Ⅲ族氮化物半导体的MOVPE生长和测试方法 | 第57-79页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体的MOVPE生长技术 | 第57-68页 |
| ·MOVPE技术原理 | 第57-59页 |
| ·MOVPE生长系统 | 第59-68页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体的测试方法 | 第68-77页 |
| ·晶体结构特性的测试 | 第68-73页 |
| ·光学特性的测试 | 第73-75页 |
| ·电学特性的测试 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第四章 GaN极性面生长及其质量控制 | 第79-89页 |
| ·衬底处理与GaN生长极性的关系 | 第79-80页 |
| ·外延生长工艺对Ga极性面GaN晶体质量的影响 | 第80-85页 |
| ·小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第五章 共掺超晶格极化场调制的p型导电增强效应 | 第89-99页 |
| ·Mg-和Si-δ共掺p型超晶格的外延生长及性质研究 | 第89-95页 |
| ·超晶格结构的外延生长 | 第89-92页 |
| ·超晶格的电学性质 | 第92-93页 |
| ·超晶格的光学性质 | 第93-95页 |
| ·Mg-和Si-δ共掺p型超晶格在深紫外LED中的应用 | 第95-96页 |
| ·小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-99页 |
| 第六章 极化场对InGaN/GaN量子阱量子能级的调制 | 第99-115页 |
| ·InGaN/GaN量子阱的发光机制 | 第99-107页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱的外延生长 | 第100-102页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱量子能级的跃迁发光 | 第102-107页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱中Mg掺杂对量子能级的调控 | 第107-110页 |
| ·Mg掺杂InGaN/GaN多量子阱的外延生长 | 第108页 |
| ·量子能级的调控 | 第108-110页 |
| ·小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第七章 总结与展望 | 第115-117页 |
| 附录 博士期间发表的论文 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
