高压RESURF-LDMOS的研究与设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-19页 |
| ·功率器件的发展历史 | 第9-12页 |
| ·功率器件的结终端技术 | 第12-14页 |
| ·LDMOS的结构设计 | 第14-18页 |
| ·本文主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 RESURF LDMOS主要参数设计 | 第19-37页 |
| ·LDMOS单阶梯场极板的设计 | 第19-24页 |
| ·器件结构 | 第20页 |
| ·场板长度 | 第20-21页 |
| ·氧化层厚度 | 第21-23页 |
| ·硅表面场氧层侵蚀厚度 | 第23-24页 |
| ·LDMOS双阶梯场极板的设计 | 第24-28页 |
| ·器件结构 | 第24页 |
| ·氧化层厚度 | 第24-25页 |
| ·场板长度 | 第25-26页 |
| ·硅表面场氧层侵蚀厚度 | 第26-28页 |
| ·LDMOS漂移区的设计 | 第28-37页 |
| ·RESURF技术 | 第29-31页 |
| ·漂移区数值模拟 | 第31-37页 |
| 第三章 LDMOS的击穿特性和可靠性分析 | 第37-63页 |
| ·LDMOS的击穿特性 | 第37-47页 |
| ·击穿机理分析 | 第37-41页 |
| ·雪崩击穿 | 第37-40页 |
| ·负阻击穿 | 第40-41页 |
| ·LDMOS电学击穿分析 | 第41-47页 |
| ·LDMOS可靠性分析 | 第47-63页 |
| ·LDMOS安全工作区 | 第47-55页 |
| ·短期 SOA | 第48-54页 |
| ·长期 SOA | 第54-55页 |
| ·LDMOS高温特性 | 第55-63页 |
| ·LDMOS阈值电压温度特性 | 第55-61页 |
| ·LDMOS导通电阻温度特性 | 第61-63页 |
| 第四章 LDMOS工艺与版图设计 | 第63-72页 |
| ·LDMOS工艺设计 | 第63-68页 |
| ·LDMOS版图设计 | 第68-72页 |
| ·单管测试版图 | 第68-69页 |
| ·隔离设计 | 第69-72页 |
| 第五章 结束语 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第79页 |
