| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·硅表面金属功能薄膜制备的研究现状 | 第12-15页 |
| ·金属在硅表面沉积的分析手段 | 第15-16页 |
| ·表面形貌分析 | 第15-16页 |
| ·元素分析 | 第16页 |
| ·电化学分析 | 第16页 |
| ·硅/电解质界面的能级和电势分布 | 第16-20页 |
| ·硅/电解质界面的电荷传递 | 第20-21页 |
| ·成核和生长机理 | 第21-28页 |
| ·电势对成核的影响 | 第22-25页 |
| ·时间对成核和生长的影响 | 第25-28页 |
| ·浸入沉积 | 第28-30页 |
| ·金属在硅上的化学镀沉积 | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| References | 第31-36页 |
| 第二章 p型单晶硅的阳极特性 | 第36-50页 |
| ·p型单晶硅的基本性质 | 第36页 |
| ·p-Si(100)的阳极特性 | 第36-44页 |
| ·仪器和试剂 | 第36页 |
| ·硅片的预处理 | 第36-37页 |
| ·p-Si(100)的表面形貌 | 第37-39页 |
| ·电流—电位关系 | 第39-42页 |
| ·界面层的阻抗 | 第42-44页 |
| ·反应机理 | 第44-47页 |
| ·Turner-Memming模型 | 第44-45页 |
| ·氢终止的修正 | 第45页 |
| ·电化学反应机理 | 第45-46页 |
| ·完整的反应机制 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| References | 第48-50页 |
| 第三章 p型单晶硅表面贵金属薄膜的制备和表征 | 第50-63页 |
| ·前言 | 第50-51页 |
| ·实验部分 | 第51-52页 |
| ·仪器和试剂 | 第51页 |
| ·硅片的预处理 | 第51页 |
| ·晶粒层的制备 | 第51-52页 |
| ·电化学表征 | 第52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-60页 |
| ·单晶硅上金属沉积层的形貌表征 | 第52-57页 |
| ·晶粒层在单晶硅上生长时的开路电位 | 第57-58页 |
| ·晶粒层的循环伏安行为 | 第58-59页 |
| ·晶粒层的交流阻抗 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| References | 第61-63页 |
| 第四章 单晶硅表面化学镀镍膜 | 第63-77页 |
| ·前言 | 第63-64页 |
| ·实验部分 | 第64-67页 |
| ·仪器和软件 | 第64页 |
| ·试剂和材料 | 第64页 |
| ·硅片预处理和钯晶粒层的制备 | 第64页 |
| ·电化学测量 | 第64-65页 |
| ·Ni膜和Pd晶粒层的表征 | 第65-67页 |
| ·结果和讨论 | 第67-75页 |
| ·p-Si(100)基底上化学镀镍的热力学模型 | 第67-73页 |
| ·界面电位和电流 | 第67-69页 |
| ·界面电容 | 第69-73页 |
| ·化学镀的开路电位动力学模型 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| References | 第76-77页 |
| 第五章 多孔硅的制备 | 第77-94页 |
| ·多孔硅的发展过程 | 第77-79页 |
| ·多孔硅的形貌特征 | 第79-80页 |
| ·多孔硅的形成条件 | 第80-82页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第82-85页 |
| ·多孔硅的制备 | 第85-87页 |
| ·仪器和试剂 | 第85页 |
| ·单晶硅片预处理 | 第85页 |
| ·多孔硅制备 | 第85-87页 |
| ·多孔硅的阳极行为 | 第87-90页 |
| ·电流～电位曲线 | 第87-88页 |
| ·界面层的阻抗 | 第88-89页 |
| ·多孔硅在F溶液中的开路电位 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90页 |
| References | 第90-94页 |
| 第六章 多孔硅表面贵金属薄膜的制备和表征 | 第94-110页 |
| ·多孔硅表面贵金属薄膜制备的研究进展 | 第94-96页 |
| ·实验部分 | 第96-97页 |
| ·仪器和试剂 | 第96页 |
| ·单晶硅片预处理 | 第96页 |
| ·多孔硅制备 | 第96页 |
| ·多孔硅表面贵金属的沉积 | 第96-97页 |
| ·电化学表征 | 第97页 |
| ·结果与讨论 | 第97-104页 |
| ·多孔硅表面沉积层的形貌表征 | 第97-100页 |
| ·开路电位(OCP)监测沉积过程 | 第100-102页 |
| ·沉积层的循环伏安行为 | 第102页 |
| ·沉积层的交流阻抗 | 第102-104页 |
| ·Ru在NH_4F溶液中的浸入沉积 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| References | 第107-110页 |
| 第七章 多孔硅上镍钴合金膜的制备及表征 | 第110-121页 |
| ·多孔硅上Ni沉积的研究现状 | 第110-111页 |
| ·NH_4F溶液中Ni-Co合金膜的制备及表征 | 第111-119页 |
| ·仪器和试剂 | 第111-112页 |
| ·单晶硅片预处理 | 第112页 |
| ·多孔硅制备 | 第112页 |
| ·多孔硅上Ni-Co合金的共沉积 | 第112-119页 |
| ·本章小结 | 第119页 |
| References | 第119-121页 |
| 第八章 多孔硅上贵金属膜的潜在应用——热集成的贵金属催化多孔硅微反应器的制备 | 第121-131页 |
| ·引言 | 第121-122页 |
| ·实验部分 | 第122-123页 |
| ·仪器和试剂 | 第122页 |
| ·单晶硅片预处理 | 第122页 |
| ·多孔硅制备 | 第122-123页 |
| ·多孔硅表面催化晶粒层的制备 | 第123页 |
| ·化学镀镍 | 第123页 |
| ·电镀镍和镀层剥离 | 第123页 |
| ·实验结果和讨论 | 第123-127页 |
| ·多孔硅和镀层的形貌表征 | 第123-125页 |
| ·贵金属晶粒层的循环伏安行为 | 第125-126页 |
| ·晶粒层的催化特性 | 第126-127页 |
| ·微反应器和微换热器结构集成 | 第127-128页 |
| ·本章小结 | 第128-129页 |
| References | 第129-131页 |
| 在学期间的研究成果 | 第131-132页 |
| 致谢 | 第132页 |