| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·国际现状与发展趋势 | 第8-9页 |
| ·课题研究内容 | 第9页 |
| ·表征参量的选择标准 | 第9-11页 |
| 第二章 VDMOS器件的电离辐照效应及1/f噪声理论 | 第11-25页 |
| ·辐照效应及辐照损伤机理 | 第11-14页 |
| ·总剂量效应 | 第11-12页 |
| ·剂量率效应 | 第12-13页 |
| ·单粒子效应 | 第13页 |
| ·辐照损伤机理 | 第13-14页 |
| ·位移效应 | 第13页 |
| ·电离效应 | 第13-14页 |
| ·VDMOS 器件的电离辐照失效模式 | 第14-16页 |
| ·阈值电压 VTH 随辐照剂量增大而降低 | 第15-16页 |
| ·VDMOS 器件的单粒子烧毁（SEB） | 第16页 |
| ·VDMOS 器件中的栅氧化层击穿（SEGR） | 第16页 |
| ·VDMOS 器件的电离辐照损伤机理 | 第16-19页 |
| ·二氧化硅中电荷俘获 | 第16-17页 |
| ·Si/SiO_2 界面的界面态 | 第17-19页 |
| ·VDMOS 器件中的1/f 噪声 | 第19-25页 |
| ·1/f 噪声概述 | 第19页 |
| ·1/f 噪声器件物理模型 | 第19-22页 |
| ·VDMOS 器件中的1/f 噪声 | 第22-25页 |
| 第三章 VDMOS器件电离辐照实验及1/f噪声响应 | 第25-37页 |
| ·VDMOS 器件噪声测试平台 | 第25-30页 |
| ·噪声测试平台的构成 | 第25-28页 |
| ·VDMOS 器件噪声测试偏置电路 | 第28-29页 |
| ·VDMOS 器件不同偏置下的1/f 噪声特性 | 第29-30页 |
| ·VDMOS 器件电离辐照实验 | 第30-37页 |
| ·辐照后主要电参数的变化 | 第31-35页 |
| ·阈值电压的分析 | 第31-33页 |
| ·跨导退化的分析 | 第33-35页 |
| ·亚阈特性曲线漂移 | 第35页 |
| ·迁移率降低和饱和漏电流增大 | 第35页 |
| ·辐照后噪声参数的变化 | 第35-37页 |
| 第四章 用于筛选的 VDMOS器件抗辐照能力表征参量研究 | 第37-53页 |
| ·辐照前的1/f 噪声与氧化层空穴俘获的关系 | 第37-40页 |
| ·辐照前的1/f 噪声与辐照诱生界面陷阱数量之间的关系 | 第40-44页 |
| ·实验现象 | 第40-41页 |
| ·理论解释 | 第41-44页 |
| ·VDMOS 器件抗辐照性能的1/f 噪声表征抗辐照性能研究 | 第44-49页 |
| ·影响 VDMOS 器件1/f 噪声的实验因素 | 第44-45页 |
| ·测量温度对1/f 噪声功率谱的影响 | 第44页 |
| ·测试偏置条件对1/f 噪声功率谱的影响 | 第44-45页 |
| ·影响 VDMOS 器件抗辐照性能的因素 | 第45-47页 |
| ·不同场氧工艺对 VDMOS 器件抗辐照性能的影响 | 第45页 |
| ·栅氧化层厚度对 VDMOS 器件抗辐照性能的影响 | 第45-47页 |
| ·不同沟道类型的 VDMOS 器件军品与民品抗辐照性能的比较 | 第47-48页 |
| ·电离辐照前后电参数与噪声参数敏感性对比 | 第48页 |
| ·电离辐照前后电参数与噪声参数相关性分析 | 第48-49页 |
| ·基于1/f 噪声表征参量的 VDMOS 器件无损检测及筛选的可行性 | 第49-53页 |
| 第五章 研究工作总结 | 第53-55页 |
| ·论文成果 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 作者在读研期间的成果 | 第61页 |
