硅基片上螺旋电感建模及其在射频芯片中的应用
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究状况及发展态势 | 第10-15页 |
| ·提高电感品质因子Q研究 | 第10-13页 |
| ·电感值算法研究 | 第13-14页 |
| ·建立RLC电感模型研究 | 第14-15页 |
| ·片上电感优化设计研究 | 第15页 |
| ·立题意义和研究内容 | 第15-17页 |
| ·立题意义 | 第15-16页 |
| ·研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 集成电感模型的理论分析基础 | 第17-28页 |
| ·集成电感的物理基础 | 第17-18页 |
| ·法拉第电磁感应定律和楞次定律 | 第17页 |
| ·电感元件的定义 | 第17-18页 |
| ·集成电感的物理结构 | 第18页 |
| ·集成电感的主要指标 | 第18-19页 |
| ·品质因子 | 第18-19页 |
| ·自谐振频率 | 第19页 |
| ·集成电感的RLC模型 | 第19-28页 |
| ·单π物理模型 | 第20-24页 |
| ·2π物理模型 | 第24-25页 |
| ·nπ物理模型 | 第25-28页 |
| 第三章 集成电感感值的算法研究 | 第28-34页 |
| ·GREENHOUSE分段叠加法 | 第28-31页 |
| ·自感的计算 | 第28-29页 |
| ·互感的计算 | 第29-30页 |
| ·总电感的计算 | 第30-31页 |
| ·JENEI整体平均值算法 | 第31-34页 |
| ·自感的计算 | 第32页 |
| ·互感的计算 | 第32-33页 |
| ·总电感的计算 | 第33-34页 |
| 第四章 硅集成电感中高频效应的研究 | 第34-46页 |
| ·电感金属线圈上的涡流效应 | 第34-42页 |
| ·趋肤效应 | 第35-38页 |
| ·邻近效应 | 第38-41页 |
| ·电感线圈涡流效应的集总电路模型 | 第41-42页 |
| ·衬底涡流效应 | 第42-46页 |
| ·衬底涡流损耗 | 第42-44页 |
| ·电感衬底涡流效应的集总电路模型 | 第44-46页 |
| 第五章 基于PEEC法的片上螺旋电感物理模型 | 第46-60页 |
| ·硅衬底螺旋电感2π物理模型 | 第46-55页 |
| ·趋肤效应与邻近效应模型 | 第47-50页 |
| ·衬底涡流损耗效应模型 | 第50-55页 |
| ·模型的仿真与验证 | 第55-57页 |
| ·基于模型的分析 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第六章 片上螺旋电感在低噪声放大器中的应用 | 第60-74页 |
| ·低噪声放大器的设计 | 第60-66页 |
| ·指标要求 | 第60-61页 |
| ·单端低噪声放大器电路设计 | 第61-66页 |
| ·低噪声放大器的仿真与分析 | 第66-74页 |
| ·噪声系数 | 第67-68页 |
| ·散射参数 | 第68-71页 |
| ·三阶交调(IP3)和1dB压缩点 | 第71-74页 |
| 第七章 结论 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第80页 |
