| 论文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 概述 | 第8-12页 |
| ·研究硅基薄膜发光的意义 | 第8页 |
| ·实现硅基发光的有效途径 | 第8-11页 |
| ·改进硅二极管工艺 | 第8-9页 |
| ·引入缺陷或杂质作为辐射复合中心 | 第9-10页 |
| ·寻求直接带隙硅化物 | 第10页 |
| ·利用Si/Ge 超晶格的折叠效应和Si1-XGeX/Si 量子阱的限域效应 | 第10页 |
| ·形成硅纳米结构 | 第10-11页 |
| ·研究工作及主要创新点 | 第11页 |
| ·论文各章节安排 | 第11-12页 |
| 第二章 磁控溅射与薄膜生长 | 第12-24页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·磁控溅射原理 | 第13-17页 |
| ·气体分子运动论的基本概念 | 第13-14页 |
| ·溅射 | 第14-15页 |
| ·磁控溅射 | 第15-17页 |
| ·薄膜生长理论 | 第17-21页 |
| ·薄膜生长过程概述 | 第17-18页 |
| ·成核的热力学原理 | 第18-21页 |
| ·纳米硅的发光模型 | 第21-23页 |
| ·量子限制模型（QC） | 第21页 |
| ·量子限制发光中心模型（QCLC） | 第21-23页 |
| ·表面态模型 | 第23页 |
| ·纳米硅发光模型的适用性 | 第23-24页 |
| 第三章 薄膜的制备及其表征和吸收特性 | 第24-39页 |
| ·薄膜的制备 | 第24-26页 |
| ·衬底材料的选取 | 第24页 |
| ·衬底的清洗 | 第24页 |
| ·靶材的选取 | 第24-25页 |
| ·样品的制备 | 第25-26页 |
| ·薄膜的表征 | 第26-36页 |
| ·样品结构的Raman分析 | 第26-27页 |
| ·样品结构的XRD 分析 | 第27-30页 |
| ·样品的扫描电镜（SEM）测定 | 第30-34页 |
| ·样品的傅立叶红外光谱（FTIR）测定 | 第34-35页 |
| ·样品的光电子能谱（XPS）测定 | 第35-36页 |
| ·样品的吸收光谱分析 | 第36-39页 |
| 第四章 薄膜发光特性的研究 | 第39-54页 |
| ·含纳米硅二氧化硅薄膜的光致发光特性 | 第39-47页 |
| ·实验 | 第40页 |
| ·实验结果和实验分析 | 第40-47页 |
| ·紫光（36011m）发光的特性 | 第40-44页 |
| ·红光（67511m）发光的特性 | 第44-45页 |
| ·不同含量对光致发光的影响 | 第45-47页 |
| ·含纳米硅二氧化硅薄膜的电致发光特性 | 第47-52页 |
| ·样品的制备 | 第48-49页 |
| ·ITO 膜的作用 | 第48-49页 |
| ·Al 电极的制备 | 第49页 |
| ·I-V 特性的研究 | 第49-50页 |
| ·电致发光特性的研究 | 第50-52页 |
| ·本章小节 | 第52-54页 |
| ·电致发光与光致发光的区别 | 第52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| ·光致发光 | 第53页 |
| ·电致发光 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61页 |