| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·GaN性能概述 | 第12-16页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第12-14页 |
| ·GaN的化学性质 | 第14-15页 |
| ·GaN的光学性质 | 第15-16页 |
| ·GaN的电学性质 | 第16页 |
| ·ZnO性能概述 | 第16-22页 |
| ·ZnO的结构特性 | 第16-18页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第18-21页 |
| ·ZnO的电学特性 | 第21-22页 |
| ·GaN衬底材料的选择 | 第22-30页 |
| ·蓝宝石衬底 | 第25页 |
| ·SiC衬底 | 第25-26页 |
| ·Si衬底 | 第26-30页 |
| ·本论文研究内容和行文安排 | 第30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 硅衬底GaN LED材料生长 | 第36-46页 |
| ·Si衬底上LED器件研究进展 | 第36-38页 |
| ·Si(111)衬底上GaN基LED外延片结构和生长过程 | 第38-42页 |
| ·Si(111)衬底上GaN基LED外延片结构 | 第38-39页 |
| ·Thomas Swan公司的MOCVD设备 | 第39-40页 |
| ·Si(111)衬底上GaN基LED外延片生长过程 | 第40-42页 |
| ·Si(111)衬底上GaN基LED外延片X射线双晶衍射分析 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 硅衬底GaN LED器件寿命研究 | 第46-64页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·GaN基LED测试的相关物理量 | 第46-47页 |
| ·LED寿命测试方法 | 第47-50页 |
| ·Si衬底GaN基LED蓝光、绿光老化实验 | 第50-63页 |
| ·Si衬底GaN基LED蓝光老化寿命实验数据及分析 | 第51-57页 |
| ·Si衬底GaN基LED绿光老化寿命实验数据及分析 | 第57-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第四章 硅衬底ZnO半导体材料生长 | 第64-86页 |
| ·引言 | 第64-71页 |
| ·Si衬底ZnO薄膜的研究进展 | 第65-71页 |
| ·金属缓冲层 | 第66-68页 |
| ·氧化物缓冲层 | 第68-69页 |
| ·氮化物缓冲层 | 第69-70页 |
| ·其他缓冲层 | 第70-71页 |
| ·本章主要内容 | 第71页 |
| ·ZnO／Ag／Si(111)薄膜的生长系统与工艺 | 第71-75页 |
| ·衬底的清洗 | 第71-72页 |
| ·金属Ag缓冲层的生长 | 第72-73页 |
| ·ZnO／Ag／Si薄膜的外延 | 第73-75页 |
| ·生长ZnO薄膜的常压MOCVD系统 | 第73-75页 |
| ·ZnO薄膜的生长步骤 | 第75页 |
| ·ZnO／Ag／Si(111)薄膜性能分析 | 第75-83页 |
| ·表面形貌分析 | 第75-76页 |
| ·结构性能分析 | 第76-79页 |
| ·光学性能分析 | 第79-83页 |
| ·ZnO的发光光谱和辐射复合 | 第79-80页 |
| ·ZnO的禁带结构 | 第80-81页 |
| ·室温荧光光谱 | 第81-82页 |
| ·低温荧光光谱 | 第82-83页 |
| ·小结 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第五章 结论 | 第86-88页 |
| 附录 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
