| 第一章 引言 | 第1-13页 |
| ·本课题研究背景 | 第9-11页 |
| ·国内外研究动态 | 第11-12页 |
| ·本论文研究目的 | 第12-13页 |
| 第二章 实验部分 | 第13-25页 |
| ·铁电材料与铁电电畴 | 第13-15页 |
| ·SPM 介绍 | 第15-22页 |
| ·SNDM 成像原理 | 第17-19页 |
| ·PFM 成像原理 | 第19-22页 |
| ·实验平台的建立 | 第22-25页 |
| ·检测样品的制备 | 第22页 |
| ·实验过程针尖的影响因素及解决方案 | 第22-25页 |
| 第三章 铁电薄膜微区晶化过程的SPM 研究 | 第25-35页 |
| ·退火时间对PZT 铁电薄膜微结构影响的SNDM 研究 | 第25-29页 |
| ·退火温度对PLT 铁电薄膜微结构影响的SPM 研究 | 第29-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 半导体与铁电薄膜微区的电容-电压特性 | 第35-47页 |
| ·半导体材料的电容分布与微区C-V 特性分析 | 第35-39页 |
| ·铁电材料的定量计算及PZT 薄膜微区C-V 特性分析 | 第39-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 电畴反转的SPM 研究 | 第47-56页 |
| ·PLCT 薄膜电畴动态反转的SNDM 研究 | 第49-52页 |
| ·PLCT 薄膜电畴弛豫的PFM 研究 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65页 |
