| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| §1.1 集成电路设计中模型及参数提取的意义 | 第8页 |
| §1.2 建立模型及提取参数的方法 | 第8-11页 |
| §1.2.1 模型的建立 | 第8-10页 |
| §1.2.2 模型参数的提取及最优化 | 第10-11页 |
| §1.3 a-Si TFT建模的基础及国内外研究现状 | 第11-12页 |
| §1.4 a-Si TFT建模的意义及应用 | 第12页 |
| §1.5 本论文的主要研究内容及结果 | 第12-14页 |
| 第二章 MOSFET模型 | 第14-21页 |
| §2.1 MOSFET的模型基础 | 第14-16页 |
| §2.1.1 MOSFET工作原理 | 第14-15页 |
| §2.1.2 MOSFET的直流特性 | 第15-16页 |
| §2.1.3 MOSFET的基础模型 | 第16页 |
| §2.2 UCB MOSFET level1模型 | 第16-17页 |
| §2.3 UCB MOSFET level2模型 | 第17-20页 |
| §2.4 UCB MOSFET level3模型 | 第20-21页 |
| 第三章 a-Si：H TFT的样品制备与测试 | 第21-30页 |
| §3.1 制作工艺 | 第21页 |
| §3.2 I-V和C-V特性的测试原理 | 第21-22页 |
| §3.3 I-V和C-V特性的测试数据 | 第22-25页 |
| §3.4 从C-V特性提取的工艺参数 | 第25-29页 |
| §3.4.1 测量a-Si：H的导电类型 | 第26页 |
| §3.4.2 测量a-Si：H的掺杂浓度 | 第26-27页 |
| §3.4.3 测量绝缘层中表面固定电荷密度 | 第27-28页 |
| §3.4.4 测量绝缘层中可动离子密度 | 第28页 |
| §3.4.5 测量界面态密度 | 第28-29页 |
| §3.5 小结 | 第29-30页 |
| 第四章 a-Si TFT的模型 | 第30-71页 |
| §4.1 a-Si：H TFT模型的基础 | 第30-38页 |
| §4.1.1 a-Si：H TFT模型的概述 | 第30-31页 |
| §4.1.2 a-Si：H TFT的局域态 | 第31-33页 |
| §4.1.3 a-Si：H TFT的工作原理 | 第33页 |
| §4.1.4 a-Si：H TFT的阈值电压 | 第33-36页 |
| §4.1.5 a-Si：H TFT的迁移率 | 第36-38页 |
| §4.1.5.1 表面垂直场对迁移率的调制 | 第36-37页 |
| §4.1.5.2 热电子速度饱和对迁移率的影响 | 第37-38页 |
| §4.2 a-Si：H TFT的电流-电压特性 | 第38-48页 |
| §4.2.1 I-V特性曲线区域的划分 | 第38-40页 |
| §4.2.2 线性区的漏极电流 | 第40-41页 |
| §4.2.3 饱和区的漏极电流 | 第41-43页 |
| §4.2.3.1 沟道夹断的漏极电流 | 第41-42页 |
| §4.2.3.2 载流子速度饱和时的漏极电流 | 第42-43页 |
| §4.2.4 亚阈值区的漏极电流 | 第43-47页 |
| §4.2.4.1 亚阈值前区的漏极电流 | 第44-46页 |
| §4.2.4.2 亚阈值后区的漏极电流 | 第46-47页 |
| §4.2.5 截止区的漏极电流 | 第47-48页 |
| §4.3 a-Si：H TFT的电流电压特性的模拟 | 第48-57页 |
| §4.4 a-Si：H TFT的电容特性 | 第57-61页 |
| §4.4.1 依赖于电压的电容 | 第57-60页 |
| §4.4.2 依赖于频率的电容 | 第60-61页 |
| §4.5 a-Si：H TFT的电容特性的模拟 | 第61-66页 |
| §4.6 a-Si：H TFT的温度特性 | 第66-67页 |
| §4.6.1 电场效应迁移率的温度效应 | 第66页 |
| §4.6.2 阈值电压的温度效应 | 第66-67页 |
| §4.7 a-Si：H TFT的参数列表 | 第67-70页 |
| §4.8 小结 | 第70-71页 |
| 第五章 a-Si：H TFT模型参数的提取 | 第71-79页 |
| §5.1 a-Si：H TFT提取的参数列表 | 第71-74页 |
| §5.1.1 a-Si：H TFT模型的电流电压参数 | 第71-73页 |
| §5.1.2 a-Si：H TFT模型的电容电压参数 | 第73-74页 |
| §5.2 模型参数的提取 | 第74-78页 |
| §5.2.1 阈值电压V_(TO)和η的提取 | 第74-75页 |
| §5.2.2 迁移率μ_0和θ的提取 | 第75-76页 |
| §5.2.3 载流子的最大漂移速度ν_(max)的提取 | 第76页 |
| §5.2.4 亚阈值前区模型参数S_f、r_a、γ、I_(sub0)、x_n的提取 | 第76-77页 |
| §5.2.5 亚阈值后区模型参数r_n、S_r、I_(rsub0)、V_(TR)的提取 | 第77页 |
| §5.2.6 截止区模型参数J_(OF)、V_(FP)、r_p、g_0、D_(eff)的提取 | 第77页 |
| §5.2.7 电容模型参数ε_2、V_m、A、β、C_(MIN)的提取 | 第77-78页 |
| §5.2.8 电容模型参数F_(eff)、τ、α、V_m、V_n、ε_(fmac)的提取 | 第78页 |
| §5.3 小结 | 第78-79页 |
| 结束语 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
