| 第一章 引言 | 第1-26页 |
| ·电介质基本概念及介电材料 | 第12-14页 |
| ·高介电常数材料的研究背景及现状 | 第14-22页 |
| ·本文的研究意义、目标及内容 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第二章 薄膜的制备、结构表征与电学性质检测 | 第26-34页 |
| ·薄膜制备 | 第26-30页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第30-31页 |
| ·薄膜的电学性质检测 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 脉冲激光沉积法制备CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜及其性能的分析 | 第34-45页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·CCTO陶瓷靶材的制备 | 第34-36页 |
| ·沉积气压对薄膜结构的影响 | 第36-38页 |
| ·基片温度对薄膜结构的影响 | 第38-40页 |
| ·薄膜厚度对薄膜结构的影响 | 第40-41页 |
| ·薄膜厚度对薄膜介电性能的影响 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 LaNiO_3缓冲层对CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜结构及其介电性能的影响 | 第45-56页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·LNO薄膜的制备 | 第45-46页 |
| ·LNO缓冲层对CCTO薄膜结构的影响 | 第46-49页 |
| ·LNO缓冲层对CCTO薄膜介电性质的影响 | 第49-50页 |
| ·多晶CCTO薄膜的阻抗谱研究 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第五章 退火后处理对CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的影响 | 第56-64页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验方法 | 第56页 |
| ·退火前后CCTO薄膜结构的比较 | 第56-58页 |
| ·退火前后CCTO薄膜介电性能的比较 | 第58-60页 |
| ·退火后处理CCTO薄膜阻抗谱的研究 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第六章 总结与研究展望 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
