半导体中场畴混沌运动的理论模型
| 第一部分 | 第1-86页 |
| 第一章 引言 | 第8-23页 |
| §1 半导体中的不稳定性 | 第9-12页 |
| §2 负微分电导率的物理机制 | 第12-15页 |
| (1) 非线性平均迁移速度机制 | 第12-14页 |
| (2) 载流子密度为电场的非线性函数机制 | 第14-15页 |
| §3 半导体输运的基本理论 | 第15-23页 |
| (1) 经典宏观理论 | 第15-17页 |
| (2) 经典玻尔兹曼方程 | 第17-23页 |
| 第二章 混沌基本理论 | 第23-42页 |
| §1 简单一维映射和混沌运动的特征 | 第24-34页 |
| (1) Bernou(?)i平移 | 第24-26页 |
| (2) 混沌运动的定量描述 | 第26-31页 |
| (3) 奇怪吸引子及其维数 | 第31-34页 |
| §2 各种混沌道路 | 第34-42页 |
| (1) 倍周期分岔道路 | 第34-37页 |
| (2) 阵发性混沌道路 | 第37-38页 |
| (3) 准周期混沌道路 | 第38-42页 |
| 第三章 Gunn效应中的混沌现象 | 第42-66页 |
| §1 Gunn不稳定性 | 第43-48页 |
| (1) 畴动力学 | 第43-44页 |
| (2) 基本方程 | 第44-46页 |
| (3) 空间畴的形成 | 第46-48页 |
| §2 畴运动的宏观动力学模型 | 第48-50页 |
| §3 数值计算结果 | 第50-64页 |
| (1) 锁频的新奇魔梯和Faray序列 | 第52-56页 |
| (2) 准周期和混沌 | 第56-62页 |
| (3) 倍周期分岔到混沌 | 第62-64页 |
| §4 结束语 | 第64-66页 |
| 第四章 低频场畴混沌运动的唯象物理机制 | 第66-86页 |
| §1 载流子产生复合和NDC的物理机制 | 第66-72页 |
| §2 低频畴不稳定性和混沌运动 | 第72-77页 |
| (1) 低频畴混沌运动的实验结果 | 第72页 |
| (2) 低频畴不稳定性讨论 | 第72-77页 |
| §3 低频畴混沌运动的唯象物理机制 | 第77-85页 |
| (1) 动力学模型的建立 | 第78-80页 |
| (2) 数值结果 | 第80-85页 |
| §4 结束语 | 第85-86页 |
| 第二部分 | 第86-123页 |
| 第五章 关于“量子混沌” | 第86-123页 |
| §1 引言 | 第86-89页 |
| §2 量子猫映射 | 第89-91页 |
| §3 Stadium中的量子粒子 | 第91-93页 |
| §4 冲击作用下转子的动力学性质 | 第93-100页 |
| (1) 确定性扩散 | 第93-97页 |
| (2) 冲击作用下转子的经典和量子运动性质 | 第97-100页 |
| §5 周期冲击作用下谐振子的动力学性质 | 第100-123页 |
| (1) 经典运动性质 | 第101-108页 |
| (2) 量子运动性质 | 第108-119页 |
| (3) 结束语 | 第119-123页 |
| 参考文献 | 第123-137页 |
| Abstract | 第137-138页 |
