| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| ·研究目的和意义 | 第10页 |
| ·CCTO 材料国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·CCTO 块体制备技术 | 第14-18页 |
| ·固相反应法制备CCTO 陶瓷材料 | 第14-16页 |
| ·溶胶-凝胶法制备CCTO 陶瓷材料 | 第16-18页 |
| ·CCTO 薄膜制备技术 | 第18-23页 |
| ·磁控溅射法制备CCTO 薄膜 | 第18-20页 |
| ·溶胶-凝胶法制备CCTO 薄膜 | 第20-22页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD)制备CCTO 薄膜 | 第22-23页 |
| ·CCTO 材料的性能 | 第23-26页 |
| ·介电性能研究 | 第23页 |
| ·非线性特性研究 | 第23-25页 |
| ·压敏电阻特性 | 第25-26页 |
| ·CCTO 薄膜的应用 | 第26页 |
| ·本文主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第2章 材料及实验方法 | 第28-35页 |
| ·CCTO 溶胶的制备 | 第28-29页 |
| ·CCTO 薄膜的制备 | 第29-33页 |
| ·试验材料 | 第29-30页 |
| ·薄膜制备设备 | 第30-31页 |
| ·CCTO 薄膜制备过程 | 第31页 |
| ·CCTO 薄膜制备工艺参数 | 第31-33页 |
| ·研究方法 | 第33-35页 |
| ·薄膜物相X 射线衍射分析 | 第33页 |
| ·掠入射X 射线衍射分析 | 第33页 |
| ·小角X 射线散射分析 | 第33页 |
| ·薄膜残余应力测量技术 | 第33页 |
| ·显微组织扫描电子显微镜观察 | 第33页 |
| ·介电性能测量 | 第33-34页 |
| ·磁性能测量 | 第34-35页 |
| 第3章 CCTO 薄膜微结构研究 | 第35-52页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·CCTO 薄膜相结构分析 | 第35-43页 |
| ·晶化温度对CCTO 薄膜结构的影响 | 第35-37页 |
| ·预烧温度对CCTO 薄膜结构的影响 | 第37-39页 |
| ·晶化方式对CCTO 薄膜结构的影响 | 第39-41页 |
| ·晶化时间对CCTO 薄膜结构的影响 | 第41-43页 |
| ·CCTO 薄膜厚度测量 | 第43-45页 |
| ·CCTO 薄膜表面形貌观察研究 | 第45-46页 |
| ·CCTO 薄膜的残余应力 | 第46-51页 |
| ·薄膜残余应力的掠入射X 射线分析 | 第46-47页 |
| ·CCTO 薄膜的残余应力测量 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 CCTO 薄膜介电性能 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·CCTO 薄膜交流阻抗研究 | 第52-57页 |
| ·CCTO 薄膜交流阻抗等效电路 | 第52-53页 |
| ·CCTO 薄膜交流阻抗谱测量 | 第53-57页 |
| ·CCTO 薄膜的介电常数 | 第57-60页 |
| ·介电常数的计算 | 第58页 |
| ·预烧温度对CCTO 薄膜介电常数的影响 | 第58页 |
| ·晶化时间对CCTO 薄膜介电常数的影响 | 第58-60页 |
| ·CCTO 薄膜的介电损耗 | 第60-63页 |
| ·介电损耗机制 | 第60页 |
| ·CCTO 薄膜介电损耗研究 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 CCTO 薄膜优化改性研究 | 第64-80页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·添加PLCT 种子层制备的CCTO 薄膜研究 | 第64-67页 |
| ·添加PLCT 种子层制备的CCTO 薄膜结构 | 第64页 |
| ·添加PLCT 种子层制备的CCTO 薄膜的介电性能 | 第64-67页 |
| ·CCTO 薄膜掺杂改性研究 | 第67-74页 |
| ·Co 掺杂CCTO 薄膜的研究 | 第67-71页 |
| ·Co 置换Ca 的CCTO 薄膜研究 | 第71-74页 |
| ·Co掺杂CCTO薄膜的磁性能研究 | 第74-79页 |
| ·高介电材料磁性粒子掺杂的稀磁特性 | 第74-75页 |
| ·Co 掺杂CCTO 薄膜的磁滞回线 | 第75-77页 |
| ·Co 置换Ca 的CCTO 薄膜的磁滞回线 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 结论 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 致谢 | 第86页 |