GaAs/GaN双色探测薄膜结构设计与光电特性
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·研究背景 | 第10页 |
| ·GaAs 基红外探测器发展状况 | 第10-11页 |
| ·GaN 基紫外探测器发展状况 | 第11-13页 |
| ·多波段探测器 | 第13-15页 |
| ·红外双波段探测器 | 第13-15页 |
| ·紫外/红外双色探测器 | 第15-16页 |
| ·GaAs/GaN 双色探测器 | 第16页 |
| ·GaAs/GaN 薄膜制备 | 第16-19页 |
| ·MBE 技术 | 第16-17页 |
| ·分子束外延的原理 | 第17页 |
| ·分子束外延的设备结构 | 第17-18页 |
| ·分子束外延的主要特征 | 第18-19页 |
| ·本文研究目的与主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 薄膜和器件制备与性能分析方法 | 第20-33页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·GaAs/GaN 薄膜的外延生长 | 第20-24页 |
| ·MBE 设备介绍 | 第20-22页 |
| ·GaAs 薄膜外延生长工艺 | 第22-23页 |
| ·GaN 衬底处理 | 第23页 |
| ·GaAs/GaN 薄膜制备的基本参数 | 第23-24页 |
| ·GaAs/GaN 薄膜结晶质量表征 | 第24-26页 |
| ·器件制备 | 第26-31页 |
| ·标准器件工艺 | 第26页 |
| ·光刻 | 第26-31页 |
| ·探测器性能测试 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 GaAs/GaN 双色探测薄膜结构设计 | 第33-46页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·GaAs/GaN 双色薄膜结构设计 | 第33-38页 |
| ·GaAs/GaN 双色探测器工作原理 | 第33-34页 |
| ·材料体系的选择 | 第34页 |
| ·GaAs/GaN 薄膜能带（势垒高度）的设计 | 第34-38页 |
| ·探测薄膜光电响应模拟 | 第38-45页 |
| ·薄膜电流连续性方程的推导 | 第38-40页 |
| ·紫外区域光电响应模拟 | 第40页 |
| ·红外区域光电响应模拟 | 第40-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 器件的伏安特性 | 第46-57页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·器件伏安特性模拟分析 | 第46-50页 |
| ·n-n 型器件伏安特性理论模拟 | 第46-47页 |
| ·p-n 型器件伏安特性理论模拟 | 第47-50页 |
| ·器件伏安特性实验研究 | 第50-56页 |
| ·n-n 型器件伏安特性试验结果与分析 | 第50-53页 |
| ·p-n 型器件伏安特性实验结果与分析 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 器件光电响应特性 | 第57-65页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·光电导的测试 | 第57-58页 |
| ·器件的光电响应特性 | 第58-64页 |
| ·短波区域器件的响应特性 | 第58-59页 |
| ·中远红外区域器件的响应特性 | 第59-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
