摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-21页 |
1.1 热电材料研究背景 | 第10-15页 |
1.1.1 热电材料的发展历史及应用 | 第10-12页 |
1.1.2 热电效应 | 第12-14页 |
1.1.3 热电材料的性能评价方法 | 第14-15页 |
1.2 热电材料的欧姆接触特性的研究意义 | 第15-18页 |
1.2.1 欧姆接触形成的条件 | 第16页 |
1.2.2 欧姆接触电阻的TLM法测量原理 | 第16-18页 |
1.3 ZnSb基热电薄膜材料的研究现状 | 第18-19页 |
1.4 本文的研究内容及创新点 | 第19-21页 |
第2章 薄膜制备与性能表征方法 | 第21-31页 |
2.1 薄膜的制备方法 | 第21-23页 |
2.1.1 离子束溅射镀膜法 | 第21-22页 |
2.1.2 磁控溅射镀膜法 | 第22-23页 |
2.2 热电薄膜材料的表征方法 | 第23-31页 |
2.2.1 电导率—Seebeck系数的测试仪 | 第24-26页 |
2.2.2 表面轮廓仪 | 第26页 |
2.2.3 X射线衍射仪 | 第26-27页 |
2.2.4 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
2.2.5 能量色散谱仪 | 第28页 |
2.2.6 原子力显微镜 | 第28-29页 |
2.2.7 霍尔效应测试仪 | 第29页 |
2.2.8 I/V曲线的测试原理 | 第29-31页 |
第3章 离子束溅射合金靶材制备ZnSb热电薄膜 | 第31-40页 |
3.1 概述 | 第31页 |
3.2 薄膜的制备方法与过程 | 第31-32页 |
3.3 离子束溅射参数对薄膜性能的影响 | 第32-34页 |
3.4 热处理对薄膜性能的影响 | 第34-38页 |
3.4.1 基底温度对薄膜性能的影响 | 第34-35页 |
3.4.2 退火温度对薄膜性能的影响 | 第35-38页 |
3.5 本章小结 | 第38-40页 |
第4章 离子束溅射Zn/Sb单质复合靶制备ZnSb热电薄膜 | 第40-62页 |
4.1 概述 | 第40页 |
4.2 薄膜的制备方法与过程 | 第40-41页 |
4.3 离子束溅射参数对薄膜性能的影响 | 第41-43页 |
4.4 热处理对薄膜性能的影响 | 第43-57页 |
4.4.1 退火温度对薄膜性能的影响 | 第43-54页 |
4.4.2 基底温度对薄膜性能的影响 | 第54-57页 |
4.5 Zn/Sb单质复合靶中Zn条、Sb条的组合方式对薄膜性能的影响 | 第57-61页 |
4.6 本章小结 | 第61-62页 |
第5章 ZnSb热电薄膜的欧姆接触电极制备及研究 | 第62-71页 |
5.1 概述 | 第62页 |
5.2 欧姆接触电极的制备方法与过程 | 第62-63页 |
5.3 金属Cu、Co、Mo电极与ZnSb热电薄膜的欧姆接触特性研究 | 第63-65页 |
5.4 金属Co电极与ZnSb热电薄膜间接触电阻率的优化 | 第65-69页 |
5.4.1 表面处理对欧姆接触电阻率的影响 | 第66-68页 |
5.4.2 热处理对欧姆接触电阻率的影响 | 第68-69页 |
5.5 本章小结 | 第69-71页 |
第6章 结论与展望 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
攻读硕士期间的研究成果 | 第78页 |