| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 日盲紫外探测器简介 | 第10-11页 |
| 1.2 Ga_2O_3材料的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3材料的光学与电学性质 | 第12页 |
| 1.3 日盲紫外探测器研究现状 | 第12-21页 |
| 1.4 Ga_2O_3日盲紫外探测器存在的主要问题 | 第21-22页 |
| 1.5 论文的选题依据和研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验设备与表征技术 | 第23-35页 |
| 2.1 脉冲激光沉积系统 | 第23-25页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积设备 | 第24-25页 |
| 2.2 Ga_2O_3薄膜材料的表征技术 | 第25-29页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第25页 |
| 2.2.2 紫外-可见透射光谱 | 第25-26页 |
| 2.2.3 表面轮廓扫描仪 | 第26-27页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.6 激光共聚焦拉曼光谱仪 | 第28-29页 |
| 2.3 Ga_2O_3薄膜日盲紫外探测器的制备与性能测试 | 第29-35页 |
| 2.3.1 真空热蒸镀沉积系统 | 第29-30页 |
| 2.3.2 光刻工艺 | 第30-31页 |
| 2.3.3 光谱响应测试系统 | 第31-33页 |
| 2.3.4 瞬态响应测试系统 | 第33-35页 |
| 第3章 结晶质量对Ga_2O_3薄膜日盲紫外光响应特性的影响 | 第35-49页 |
| 3.1 Ga_2O_3薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.2 Ga_2O_3薄膜的性质表征 | 第36-39页 |
| 3.2.1 不同温度下制备Ga_2O_3薄膜的X射线衍射光谱 | 第36-37页 |
| 3.2.2 不同温度下制备Ga_2O_3薄膜的厚度 | 第37-38页 |
| 3.2.3 不同温度下制备Ga_2O_3薄膜的表面形貌 | 第38页 |
| 3.2.4 不同温度下制备Ga_2O_3薄膜的紫外光特性 | 第38-39页 |
| 3.3 结晶质量对Ga_2O_3薄膜日盲紫外探测器性能的影响 | 第39-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 混合取向Ga_2O_3薄膜的生长及其紫外光响应特性研究 | 第49-62页 |
| 4.1 Ga_2O_3薄膜的制备 | 第49-51页 |
| 4.2 Ga_2O_3薄膜性质的表征 | 第51-55页 |
| 4.2.1 不同氧压下制备Ga_2O_3薄膜的X射线衍射光谱 | 第51-52页 |
| 4.2.2 不同氧压下制备Ga_2O_3薄膜的厚度 | 第52-53页 |
| 4.2.3 不同氧压下制备Ga_2O_3薄膜的表面形貌 | 第53-54页 |
| 4.2.4 不同氧压下制备Ga_2O_3薄膜的紫外光特性 | 第54-55页 |
| 4.3 混合取向对Ga_2O_3薄膜日盲紫外探测器性能的影响 | 第55-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第5章 混合结构Ga_2O_3薄膜的制备及其紫外光响应特性研究 | 第62-77页 |
| 5.1 Ga_2O_3薄膜的制备 | 第62-65页 |
| 5.2 Ga_2O_3薄膜的性质表征 | 第65-69页 |
| 5.2.1 a面蓝宝石上制备Ga_2O_3薄膜的X射线衍射光谱 | 第65-66页 |
| 5.2.2 a面蓝宝石上制备Ga_2O_3薄膜的拉曼散射光谱 | 第66-67页 |
| 5.2.3 a面蓝宝石上制备Ga_2O_3薄膜的表面形貌 | 第67-68页 |
| 5.2.4 a面蓝宝石上制备Ga_2O_3薄膜的紫外光特性 | 第68-69页 |
| 5.3 混合结构对Ga_2O_3日盲紫外探测器性能的影响 | 第69-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第6章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 全文总结 | 第77-78页 |
| 6.2 展望 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第88页 |
