| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 表面等离子体共振传感器简介 | 第12-13页 |
| 1.3 SPR传感器分类及发展历程 | 第13-19页 |
| 1.3.1 强度型SPR传感器 | 第13-14页 |
| 1.3.2 角度型SPR传感器 | 第14页 |
| 1.3.3 波长型SPR传感器 | 第14-15页 |
| 1.3.4 相位型SPR传感器 | 第15-19页 |
| 1.4 本文的主要工作内容及研究意义 | 第19-21页 |
| 2 表面等离子体共振传感器的理论基础 | 第21-29页 |
| 2.1 表面等离子体 | 第21页 |
| 2.2 表面等离子体波 | 第21-24页 |
| 2.3 表面等离子体共振产生的条件 | 第24-27页 |
| 2.3.1 光的全反射 | 第24-25页 |
| 2.3.2 发生表面等离子体共振的条件 | 第25-27页 |
| 2.4 表面等离子体共振激发方式 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 基于石墨烯及双金属层的高灵敏度相位型SPR传感器设计 | 第29-47页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 设计原理 | 第29-31页 |
| 3.2.1 基于石墨烯及双金属层的相位型SPR传感器基本结构 | 第29-30页 |
| 3.2.2 金-银双金属层的选取 | 第30页 |
| 3.2.3 石墨烯用于增强SPR效应 | 第30-31页 |
| 3.3 基于石墨烯及双金属层的SPR传感器模型构建 | 第31-35页 |
| 3.3.1 SPR传感器各层材料及参数确定 | 第31-32页 |
| 3.3.2 构建理论模型 | 第32-35页 |
| 3.4 SPR传感器结构参数优化 | 第35-45页 |
| 3.4.1 各层结构参数确定 | 第35-41页 |
| 3.4.2 优化结构对相位型SPR传感器性能增强效果比较 | 第41-42页 |
| 3.4.3 探究优化结构表面电磁场分布 | 第42-43页 |
| 3.4.4 基于石墨烯及双金属层结构波长适用性探究 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 4 SPR微流芯片制备及石墨烯转移技术 | 第47-57页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 SPR微流芯片制备 | 第47-53页 |
| 4.2.1 SPR微流芯片基本结构 | 第47-48页 |
| 4.2.2 玻璃基板层制备 | 第48-50页 |
| 4.2.3 微流层制备 | 第50-52页 |
| 4.2.4 SPR微流芯片封合 | 第52-53页 |
| 4.3 石墨烯转移技术初探 | 第53-55页 |
| 4.4 实验药品及仪器列表 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 基于SPR效应的古斯汉森位移传感系统 | 第57-65页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 SPR效应放大古斯汉森位移效应 | 第57-60页 |
| 5.3 古斯汉森位移测量系统搭建 | 第60-61页 |
| 5.4 测量系统自动化 | 第61页 |
| 5.5 位移传感系统性能测试 | 第61-63页 |
| 5.5.1 实验过程 | 第61-62页 |
| 5.5.2 实验结果处理及分析 | 第62-63页 |
| 5.6 实验药品及仪器列表 | 第63-64页 |
| 5.7 本章小结 | 第64-65页 |
| 6 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 作者简历 | 第73页 |
