| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-39页 |
| 1.1 电力电子技术 | 第12-14页 |
| 1.2 功率半导体器件 | 第14-22页 |
| 1.3 平面结终端技术和优化横向变掺杂技术 | 第22-33页 |
| 1.3.1 扩散保护环 | 第22-23页 |
| 1.3.2 场板 | 第23-25页 |
| 1.3.3 浮空场限环 | 第25-26页 |
| 1.3.4 优化横向变掺杂技术 | 第26-32页 |
| 1.3.5 槽型终端结构 | 第32-33页 |
| 1.4 利用高K介质的耐压层结构 | 第33-36页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第36-39页 |
| 第二章 基于优化横向变掺杂技术的改进的双通道P型LDMOST | 第39-63页 |
| 2.1 具有漂移区积累层的已有N型LDMOST结构的介绍 | 第40-47页 |
| 2.2 已有的双通道P型LDMOST | 第47-48页 |
| 2.3 一种改进的双通道P型LDMOST | 第48-62页 |
| 2.3.1 器件结构以及工作机理 | 第48-51页 |
| 2.3.2 器件的特性仿真 | 第51-58页 |
| 2.3.2.1 器件的稳态特性仿真 | 第51-57页 |
| 2.3.2.2 器件的瞬态特性仿真 | 第57-58页 |
| 2.3.3 改进结构应用于半桥功率集成电路中的高侧器件 | 第58-62页 |
| 2.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第三章 一种利用高K介质材料的新型深槽LDMOST的研究 | 第63-82页 |
| 3.1 已有的深槽LDMOST | 第63-68页 |
| 3.2 本文提出的一种具有双高K柱的新型槽型LDMOST | 第68-81页 |
| 3.2.1 器件结构以及工作机理 | 第68-69页 |
| 3.2.2 器件的特性仿真 | 第69-80页 |
| 3.2.2.1 器件的稳态特性仿真 | 第70-76页 |
| 3.2.2.2 器件的瞬态特性仿真 | 第76-80页 |
| 3.2.3 双高K柱LDMOST工艺方案 | 第80-81页 |
| 3.3 本章小结 | 第81-82页 |
| 第四章 一种利用高K介质的变K深槽结边缘终端结构 | 第82-94页 |
| 4.1 槽型结终端结构的耐压机理分析 | 第83-86页 |
| 4.2 变K深槽型结终端结构的耐压机理分析 | 第86-93页 |
| 4.2.1 终端结构以及耐压机理 | 第86-87页 |
| 4.2.2 仿真结果分析 | 第87-93页 |
| 4.3 本章小结 | 第93-94页 |
| 第五章 一种最简单的赝高K介质的作用分析 | 第94-107页 |
| 5.1 含导电颗粒介质提高有效介电常数的原理分析 | 第95-96页 |
| 5.2 一种简单的含导电颗粒介质的情形的分析 | 第96-98页 |
| 5.3 仿真结果和讨论 | 第98-103页 |
| 5.4 工艺讨论 | 第103-105页 |
| 5.5 本章小结 | 第105-107页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第107-110页 |
| 6.1 全文总结 | 第107-108页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-119页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第119页 |
