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新型横向功率器件及利用高K介质的终端结构的研究

摘要第5-7页
abstract第7-9页
第一章 绪论第12-39页
    1.1 电力电子技术第12-14页
    1.2 功率半导体器件第14-22页
    1.3 平面结终端技术和优化横向变掺杂技术第22-33页
        1.3.1 扩散保护环第22-23页
        1.3.2 场板第23-25页
        1.3.3 浮空场限环第25-26页
        1.3.4 优化横向变掺杂技术第26-32页
        1.3.5 槽型终端结构第32-33页
    1.4 利用高K介质的耐压层结构第33-36页
    1.5 本论文的结构安排第36-39页
第二章 基于优化横向变掺杂技术的改进的双通道P型LDMOST第39-63页
    2.1 具有漂移区积累层的已有N型LDMOST结构的介绍第40-47页
    2.2 已有的双通道P型LDMOST第47-48页
    2.3 一种改进的双通道P型LDMOST第48-62页
        2.3.1 器件结构以及工作机理第48-51页
        2.3.2 器件的特性仿真第51-58页
            2.3.2.1 器件的稳态特性仿真第51-57页
            2.3.2.2 器件的瞬态特性仿真第57-58页
        2.3.3 改进结构应用于半桥功率集成电路中的高侧器件第58-62页
    2.4 本章小结第62-63页
第三章 一种利用高K介质材料的新型深槽LDMOST的研究第63-82页
    3.1 已有的深槽LDMOST第63-68页
    3.2 本文提出的一种具有双高K柱的新型槽型LDMOST第68-81页
        3.2.1 器件结构以及工作机理第68-69页
        3.2.2 器件的特性仿真第69-80页
            3.2.2.1 器件的稳态特性仿真第70-76页
            3.2.2.2 器件的瞬态特性仿真第76-80页
        3.2.3 双高K柱LDMOST工艺方案第80-81页
    3.3 本章小结第81-82页
第四章 一种利用高K介质的变K深槽结边缘终端结构第82-94页
    4.1 槽型结终端结构的耐压机理分析第83-86页
    4.2 变K深槽型结终端结构的耐压机理分析第86-93页
        4.2.1 终端结构以及耐压机理第86-87页
        4.2.2 仿真结果分析第87-93页
    4.3 本章小结第93-94页
第五章 一种最简单的赝高K介质的作用分析第94-107页
    5.1 含导电颗粒介质提高有效介电常数的原理分析第95-96页
    5.2 一种简单的含导电颗粒介质的情形的分析第96-98页
    5.3 仿真结果和讨论第98-103页
    5.4 工艺讨论第103-105页
    5.5 本章小结第105-107页
第六章 全文总结与展望第107-110页
    6.1 全文总结第107-108页
    6.2 后续工作展望第108-110页
致谢第110-111页
参考文献第111-119页
攻读博士学位期间取得的成果第119页

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