| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第8-10页 |
| 1.2 碳化硅器件的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 碳化硅器件驱动电路及电机驱动器的研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3.1 碳化硅驱动电路的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.2 SiC MOSFET建模的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.3 碳化硅电机驱动器的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 SiC MOSFET特性及建模 | 第18-28页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 器件特性及工作原理 | 第18-20页 |
| 2.3 SiC MOSFET的Spice建模方法 | 第20-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 基于SiC MOSFET的逆变器损耗分析 | 第28-39页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 三相逆变电路损耗计算 | 第28-32页 |
| 3.3 半桥电路的功率管损耗仿真 | 第32-33页 |
| 3.3.1 SiC MOSFET半桥电路损耗仿真 | 第32-33页 |
| 3.3.2 SiIGBT半桥电路损耗仿真 | 第33页 |
| 3.4 损耗影响因素分析 | 第33-36页 |
| 3.5 逆变器损耗仿真研究 | 第36-38页 |
| 3.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 基于SiC MOSFET的桥臂串扰及死区补偿研究 | 第39-55页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 基于SiC MOSFET的桥臂串扰问题研究 | 第39-48页 |
| 4.2.1 串扰机理分析 | 第39-41页 |
| 4.2.2 桥臂串扰抑制方案 | 第41-45页 |
| 4.2.3 杂散电感引发的桥臂串扰 | 第45-48页 |
| 4.3 逆变器死区效应及死区补偿分析 | 第48-54页 |
| 4.3.1 死区效应分析 | 第48-50页 |
| 4.3.2 高开关频率下的死区补偿 | 第50-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 基于SiC MOSFET的PMSM控制系统实验 | 第55-67页 |
| 5.1 引言 | 第55页 |
| 5.2 系统硬件设计 | 第55-62页 |
| 5.2.1 碳化硅功率模块驱动电路 | 第55-59页 |
| 5.2.2 电流采样调理电路 | 第59-60页 |
| 5.2.3 IGBT模块驱动电路 | 第60-61页 |
| 5.2.4 保护电路 | 第61-62页 |
| 5.3 实验结果及分析 | 第62-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
