| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 分子电子学 | 第12-17页 |
| 1.2 石墨烯 | 第17-18页 |
| 1.3 碳纳米结构在表面上的合成 | 第18-33页 |
| 1.3.1 零维碳纳米结构 | 第19-24页 |
| 1.3.2 一维碳纳米结构 | 第24-27页 |
| 1.3.3 二维碳纳米结构 | 第27-30页 |
| 1.3.4 表面合成的动力学与热力学 | 第30-33页 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 | 第33-34页 |
| 第2章 实验原理及仪器介绍 | 第34-48页 |
| 2.1 扫描隧道显微镜工作原理 | 第34-38页 |
| 2.1.1 一维方势垒 | 第34-37页 |
| 2.1.2 隧道理论的Bardeen方法 | 第37-38页 |
| 2.2 原子力显微镜 | 第38-44页 |
| 2.2.1 AFM工作模式 | 第39页 |
| 2.2.2 AFM成像面临的困难 | 第39-41页 |
| 2.2.3 AFM中的针尖样品相互作用力 | 第41-42页 |
| 2.2.4 FM-AFM成像的理论基础 | 第42-44页 |
| 2.3 实验仪器介绍 | 第44-48页 |
| 第3章 硫掺杂石墨烯纳米带的可控制备与生长机制 | 第48-64页 |
| 3.1 背景介绍 | 第48-51页 |
| 3.2 石墨烯纳米带的合成 | 第51-55页 |
| 3.3 硫掺杂石墨烯纳米带的可控制备与生长机制研究 | 第55-63页 |
| 3.3.1 室温沉积 | 第56-57页 |
| 3.3.2 聚合物的形成 | 第57-58页 |
| 3.3.3 环化脱氢与脱硫 | 第58-60页 |
| 3.3.4 完全脱硫 | 第60-61页 |
| 3.3.5 负微分电阻特性 | 第61-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 一种含氮有机分子在金属表面上的选择性分步碳氢活化 | 第64-84页 |
| 4.1 研究背景 | 第64-72页 |
| 4.1.1 C-H键的性质 | 第64-65页 |
| 4.1.2 C-H活化 | 第65-67页 |
| 4.1.3 C-H活化的机制 | 第67-69页 |
| 4.1.4 C-H活化的选择性 | 第69-71页 |
| 4.1.5 表面化学的进展 | 第71-72页 |
| 4.2 表面辅助的选择性C-H活化 | 第72-79页 |
| 4.3 N掺杂纳米带的制备 | 第79-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第5章 一种含NBN的有机分子在几种金属表面上的金属-有机结构的构筑 | 第84-98页 |
| 5.1 研究背景 | 第84-88页 |
| 5.1.1 不同表面对化学反应的影响 | 第86-88页 |
| 5.1.2 表面取向对表面化学反应的影响 | 第88页 |
| 5.2 DBBT分子在不同金属上金属-有机结构的构筑 | 第88-96页 |
| 5.2.1 NBN共价结构的引入 | 第88-89页 |
| 5.2.2 Au(111)表面上一维金属有机化合物的形成 | 第89-92页 |
| 5.2.3 Ag(100)表面上N-Ag-N配位二聚体的形成 | 第92-96页 |
| 5.3 本章小结 | 第96-98页 |
| 第6章 总结与展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-114页 |
| 个人简历 | 第114-116页 |
| 博士阶段完成及待发表文章 | 第116-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
