| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 氧化物TFT的概述 | 第12-15页 |
| 1.2.1 氧化物TFT的器件结构 | 第12页 |
| 1.2.2 氧化物TFT的工作原理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 氧化物TFT的重要器件参数 | 第13-14页 |
| 1.2.4 氧化物TFT的制备与电学性能表征 | 第14-15页 |
| 1.3 氧化物陷阱态提取的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3.1 体内陷阱态提取的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3.2 界面陷阱态提取的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 主要的研究内容和意义 | 第17-19页 |
| 第二章 氧化物TFT的陷阱态简介 | 第19-34页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 氧化物的能带结构与界面陷阱效应 | 第19-22页 |
| 2.2.1 氧化物的能带结构 | 第19-21页 |
| 2.2.2 氧化物的界面陷阱效应 | 第21-22页 |
| 2.3 陷阱态分布对氧化物TFT器件电学性能的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.1 体内陷阱态分布对氧化物TFT器件电学性能的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.2 界面陷阱态分布对氧化物TFT器件电学性能的影响 | 第23页 |
| 2.4 氧化物TFT界面和体内陷阱态的提取方法 | 第23-33页 |
| 2.4.1 微分理想因子法(DIFT)提取TFT的体内陷阱态分布 | 第23-25页 |
| 2.4.2 利用TFT的C-V特性提取界面和体内陷阱态分布 | 第25-29页 |
| 2.4.3 温度场效应法(TDFE)提取TFT的体内陷阱态分布 | 第29-31页 |
| 2.4.4 用光照特性提取TFT的体内陷阱态分布 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 氧化物TFT界面和体内陷阱态的提取 | 第34-48页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 泊松方程的数值求解 | 第34-38页 |
| 3.3 界面陷阱态的提取 | 第38-44页 |
| 3.3.1 界面和体内陷阱态的提取 | 第38-40页 |
| 3.3.2 平带电压的提取 | 第40-42页 |
| 3.3.3 提取步骤 | 第42页 |
| 3.3.4 实验测试 | 第42-44页 |
| 3.4 结果与分析 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 氧化物TFT的平带电容模型 | 第48-57页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 被陷阱俘获的电子密度 | 第48-50页 |
| 4.3 平带电容模型 | 第50-52页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第52-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 陷阱态分布在氧化物薄膜晶体管的应用 | 第57-64页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 退火温度对氧化物TFT陷阱态分布的影响 | 第57-59页 |
| 5.3 偏压对氧化物TFT陷阱态分布的影响 | 第59-60页 |
| 5.4 光照对氧化物TFT陷阱态分布的影响 | 第60-62页 |
| 5.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 附录 | 第76页 |
