| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 薄膜晶体管基本介绍 | 第10-11页 |
| 1.3 TFT的分类 | 第11-15页 |
| 1.3.1 a-Si:HTFT | 第11-12页 |
| 1.3.2 LTPS TFT | 第12页 |
| 1.3.3 OTFT | 第12-13页 |
| 1.3.4 MOTFT | 第13-15页 |
| 1.4 高迁移率MOTFT的研究进展 | 第15-18页 |
| 1.4.1 MOTFT材料方面的研究 | 第17-18页 |
| 1.4.2 MOTFT器件结构方面的研究 | 第18页 |
| 1.5 MOTFT的工作原理和基本器件结构 | 第18-21页 |
| 1.5.1 MOTFT的工作原理 | 第18-19页 |
| 1.5.2 MOTFT的基本器件结构 | 第19-21页 |
| 1.6 MOTFT的应用 | 第21-22页 |
| 1.7 本论文的研究目的和工作内容 | 第22-23页 |
| 第二章 MOTFT的制备方法和表征手段 | 第23-32页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第23-28页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第23-25页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD) | 第25-27页 |
| 2.1.3 阳极氧化 | 第27-28页 |
| 2.2 薄膜和器件的表征手段 | 第28-31页 |
| 2.2.1 薄膜的厚度 | 第28-29页 |
| 2.2.2 薄膜的结构、截面形貌和成分分析 | 第29页 |
| 2.2.3 薄膜的光学性能 | 第29页 |
| 2.2.4 薄膜的电学性能 | 第29-30页 |
| 2.2.5 MOTFT器件的性能 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 铟锌氧薄膜的制备和表征 | 第32-42页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 IZO薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 3.3 薄膜性能的表征 | 第33-40页 |
| 3.3.1 物相分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 光学性能 | 第34-37页 |
| 3.3.3 电学性能 | 第37-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 超高迁移率异质结MOTFT器件的研究 | 第42-58页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 具有异质结结构的IZO TFT器件的制备 | 第42-44页 |
| 4.3 具有异质结结构IZO TFT的器件性能及机理解释 | 第44-57页 |
| 4.3.1 IZO TFT器件的薄膜TEM表征 | 第44-46页 |
| 4.3.2 不同有源层结构对TFT器件性能的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.3 具有异质结结构IZO TFT器件的正负栅压稳定性 | 第49-50页 |
| 4.3.4 不同有源层结构的TFT的电容-电压(C-V)特性 | 第50-55页 |
| 4.3.5 异质结结构IZO TFT器件的变温电学特性 | 第55-57页 |
| 4.4 总结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附件 | 第71页 |
