| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 SOI 技术 | 第10-12页 |
| 1.3 辐照效应 | 第12-14页 |
| 1.3.1 单粒子效应 | 第13-14页 |
| 1.3.2 总剂量效应 | 第14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 SOI 器件的单粒子翻转效应 | 第16-32页 |
| 2.1 SOI 器件中的单粒子翻转效应 | 第16-19页 |
| 2.1.1 单粒子翻转效应 | 第16-17页 |
| 2.1.2 SOI NMOS 中的单粒子效应 | 第17-19页 |
| 2.2 单粒子入射产生的脉冲电流 | 第19-26页 |
| 2.2.1 SOI MOS 器件的二维模型 | 第20-21页 |
| 2.2.2 物理模型及仿真流程 | 第21-22页 |
| 2.2.3 不同因素对瞬态电流的影响 | 第22-25页 |
| 2.2.4 单粒子入射 SOI NMOS 的最大脉冲电流 | 第25-26页 |
| 2.3 瞬态电流脉冲 Weibull 模型建模 | 第26-29页 |
| 2.3.1 Weibull 模型和特征参数推导 | 第26-28页 |
| 2.3.2 Weibull 模型拟合 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-32页 |
| 第三章 6TSRAM 的单粒子翻转效应 | 第32-50页 |
| 3.1 6T SRAM 单粒子翻转效应 | 第32-35页 |
| 3.1.1 引言 | 第32页 |
| 3.1.2 6T SRAM 的单粒子翻转效应原理 | 第32-35页 |
| 3.2 电路级仿真 | 第35-39页 |
| 3.2.1 基于 SOI CMOS 的 SRAM 单粒子翻转效应电路级仿真 | 第35-38页 |
| 3.2.2 基于 weibull 模型的电路级仿真 | 第38-39页 |
| 3.3 混合级仿真 | 第39-42页 |
| 3.4 总剂量耦合条件下的 SRAM 单粒子翻转效应 | 第42-48页 |
| 3.4.1 总剂量耦合条件下的脉冲电流 | 第42-44页 |
| 3.4.2 电路级仿真 | 第44-45页 |
| 3.4.3 总剂量耦合条件下的关键参数 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 单粒子效应模拟方法在 SRAM 加固设计中的应用 | 第50-54页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 加固存储单元的单粒子翻转效应仿真 | 第51-54页 |
| 4.2.1 基于 SOI 的 ROCK 单元的单粒子翻转效应仿真 | 第51-54页 |
| 第五章 总结和展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
