| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 图录 | 第11-13页 |
| 表录 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-17页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第14-16页 |
| 1.2 本文主要内容 | 第16-17页 |
| 第二章 FINFET介绍 | 第17-32页 |
| 2.1 FinFET结构,工艺和优势 | 第17-19页 |
| 2.2 FinFET家族 | 第19-22页 |
| 2.2.1 SOI FinFET | 第19-20页 |
| 2.2.2 Bulk FinFET | 第20页 |
| 2.2.3 BOI FinFET | 第20页 |
| 2.2.4 Tri-Gate | 第20-21页 |
| 2.2.5 环栅FinFET | 第21-22页 |
| 2.3 FinFET的竞争对手 | 第22-25页 |
| 2.3.1 UT2B-FDSOI | 第22-24页 |
| 2.3.2 Ⅲ-Ⅴ族技术 | 第24-25页 |
| 2.4 FinFET性能的优化 | 第25-28页 |
| 2.4.1 晶向 | 第25-26页 |
| 2.4.2 应变技术 | 第26-27页 |
| 2.4.3 高K金属栅技术 | 第27-28页 |
| 2.5 FinFET面临的挑战 | 第28-31页 |
| 2.5.1 边缘粗糙度 | 第28-30页 |
| 2.5.2 Fin的形状 | 第30-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 FINFET三维模拟 | 第32-59页 |
| 3.1 Silvaco TCAD软件介绍 | 第32-36页 |
| 3.2 FinFET的结构仿真 | 第36-40页 |
| 3.3 Fin的几何参数优化 | 第40-51页 |
| 3.3.1 仿真的特性曲线和特征参数 | 第41-43页 |
| 3.3.2 Fin的高度(Fin_H) | 第43-45页 |
| 3.3.3 Fin的宽度(Fin_W) | 第45-48页 |
| 3.3.4 Fin高度与Fin宽度的比值(Fin_H/Fin_W) | 第48-49页 |
| 3.3.5 Fin的掺杂(Fin_Doping) | 第49-51页 |
| 3.4 氧化物和氮化物仿真分析 | 第51-58页 |
| 3.4.1 栅氧化层 | 第51-55页 |
| 3.4.2 氮化物覆盖层 | 第55-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 结束语 | 第59-61页 |
| 4.1 主要工作与创新点 | 第59页 |
| 4.2 FinFET技术展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第65页 |