| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 主要符号表 | 第16-17页 |
| 1 绪论 | 第17-38页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第17页 |
| 1.2 ZnO的基本性质 | 第17-19页 |
| 1.2.1 ZnO结构特性 | 第18-19页 |
| 1.2.2 ZnO的光电性质 | 第19页 |
| 1.2.3 ZnO的压电性质 | 第19页 |
| 1.3 ZnO纳米材料在压电电子学与压电光电子学器件中的应用 | 第19-36页 |
| 1.3.1 力电耦合-ZnO纳米压电发电机 | 第20-26页 |
| 1.3.2 力电耦合-ZnO压电应力-应变传感器 | 第26-32页 |
| 1.3.3 力电光耦合-压电电子学和压电光电子学效应调控光电器件性能 | 第32-36页 |
| 1.4 选题的依据和本文主要工作 | 第36-38页 |
| 2 本文中采用的材料生长与表征方法 | 第38-41页 |
| 2.1 本文中采用的生长方法 | 第38-39页 |
| 2.1.1 水溶液法 | 第38-39页 |
| 2.1.2 热蒸发法 | 第39页 |
| 2.1.3 磁控溅射法 | 第39页 |
| 2.2 本文中采用的表征方法 | 第39-40页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第39页 |
| 2.2.2 X射线能谱分析(EDX) | 第39页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第39-40页 |
| 2.2.4 光致发光谱(PL谱) | 第40页 |
| 2.2.5 其它表征测试手段 | 第40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 3 力电耦合-柔性纳米发电机 | 第41-56页 |
| 3.1 基于Cu线衬底的ZnO低频柔性纳米发电机 | 第41-48页 |
| 3.1.1 材料生长和材料制备 | 第41-42页 |
| 3.1.2 材料表征 | 第42-45页 |
| 3.1.3 器件性能表征 | 第45-48页 |
| 3.2 NiO-ZnO pn结增强ZnO柔性纳米发电机 | 第48-55页 |
| 3.2.1 材料生长和制备 | 第48-49页 |
| 3.2.2 材料表征 | 第49-51页 |
| 3.2.3 器件性能研究 | 第51-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 4 宽带隙异质结的力光电三场耦合-应力传感器与紫外探测器 | 第56-72页 |
| 4.1 压电光电子学效应增强NiO-ZnO核壳压电应力传感器 | 第56-65页 |
| 4.1.1 材料生长和制备 | 第56-57页 |
| 4.1.2 材料表征 | 第57-60页 |
| 4.1.3 器件性能研究 | 第60-65页 |
| 4.2 压电光电子学效应增强NiO-ZnO核壳紫外探测器 | 第65-70页 |
| 4.2.1 材料生长和制备 | 第65-66页 |
| 4.2.2 材料表征 | 第66-67页 |
| 4.2.3 器件性能研究 | 第67-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 5 窄-宽带隙异质结的力光电三场耦合-自供电宽频光探测器 | 第72-90页 |
| 5.1 压电光电子学效应增强Si-ZnO自供电宽频光探测器 | 第72-80页 |
| 5.1.1 材料生长和制备 | 第72-73页 |
| 5.1.2 材料表征 | 第73-76页 |
| 5.1.3 器件性能研究 | 第76-80页 |
| 5.2 压电光电子学效应增强Si-ZnO-CdO自供电宽频光探测器 | 第80-89页 |
| 5.2.1 材料生长和制备 | 第80页 |
| 5.2.2 材料表征 | 第80-84页 |
| 5.2.3 器件性能研究 | 第84-89页 |
| 5.3 本章小结 | 第89-90页 |
| 6 结论与展望 | 第90-93页 |
| 6.1 结论 | 第90-91页 |
| 6.2 创新点 | 第91页 |
| 6.3 展望 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-105页 |
| 攻读博士学位期间科研成果 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 作者简介 | 第108页 |
