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基于厚铜工艺的高性能片上螺旋电感研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第12-16页
    1.1 引言第12页
    1.2 片上电感研究现状及应用第12-14页
    1.3 本课题研究的意义第14页
    1.4 本课题研究的内容第14-15页
    1.5 本论文的结构第15-16页
第二章 片上螺旋电感的理论分析基础第16-24页
    2.1 电感的物理基础第16-17页
        2.1.1 电磁感应基本理论第16页
        2.1.2 集成片上电感的定义第16-17页
    2.2 片上螺旋电感的基本结构及分类第17-18页
    2.3 片上螺旋电感的性能参数第18-20页
        2.3.1 电感值 Ls第18-19页
        2.3.2 品质因子 Q 值第19-20页
    2.4 片上螺旋电感的损耗分析第20-22页
        2.4.1 衬底损耗第20-21页
        2.4.2 金属层损耗第21-22页
        2.4.3 邻近效应第22页
        2.4.4 电流拥挤效应第22页
    2.5 电感模型的建立分析第22-24页
第三章 片上螺旋电感设计及工艺制备第24-44页
    3.1 高性能片上电感设计对工艺的要求第24-25页
    3.2 厚铜工艺开发第25-32页
        3.2.1 后道互连工艺介绍第25-26页
        3.2.2 厚铜单项工艺开发优化第26-32页
    3.3 片上螺旋电感的设计第32-39页
        3.3.1 电感值分析第32-36页
        3.3.2 品质因子 Q 值分析第36-39页
    3.4 高性能片上螺旋电感的制造第39-44页
        3.4.1 厚铜片上螺旋电感的制备第39-40页
        3.4.2 电学性能结果第40-44页
第四章 片上螺旋电感的测试分析及建模第44-57页
    4.1 片上螺旋电感测试分析第44-48页
        4.1.1 片上电感测试基础第44-45页
        4.1.2 片上电感测试数据分析第45-48页
    4.2 电感模型的建立第48-57页
        4.2.1 片上电感建模方法第48-49页
        4.2.2 高频 CMOS 工艺片上电感模型的寄生效应第49-50页
        4.2.3 双π拓扑结构的电感模型第50-51页
        4.2.4 电感的工艺参数第51-54页
        4.2.5 电感模型的建立流程第54-55页
        4.2.6 电感模型的最终仿真结果与测量数据对照第55-57页
第五章 结束语第57-58页
参考文献第58-61页
附录 1 模型中各几何尺寸的物理含义第61-62页
附录 2 模型中各几何尺寸的计算公式第62-63页
附录 3 双Π SCALABLE 模型中的工艺参数列表第63-64页
致谢第64-65页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第65-67页

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