致谢 | 第9-10页 |
摘要 | 第10-11页 |
ABSTRACT | 第11-12页 |
第一章 绪论 | 第21-43页 |
1.1 自旋电子学概述 | 第21-22页 |
1.2 自旋电子学材料 | 第22-23页 |
1.3 稀磁半导体材料 | 第23-32页 |
1.3.1 Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体 | 第25-26页 |
1.3.2 Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体 | 第26-30页 |
1.3.3 稀磁半导体中的磁性机制 | 第30-32页 |
1.4 自旋零禁带半导体 | 第32-38页 |
1.5 材料制备方法 | 第38-40页 |
1.6 本文的研究内容及意义 | 第40-43页 |
1.6.1 本文的研究内容 | 第40-41页 |
1.6.2 研究意义 | 第41-43页 |
第二章 水热法制备低Mn掺杂浓度Zn_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体及其性能 | 第43-56页 |
2.1 引言 | 第43页 |
2.2 实验设备与实验原料 | 第43-44页 |
2.3 实验流程 | 第44-45页 |
2.4 实验参数 | 第45-47页 |
2.4.1 溶剂体系 | 第45-46页 |
2.4.2 实验温度 | 第46-47页 |
2.5 结果与讨论 | 第47-54页 |
2.6 本章小结 | 第54-56页 |
第三章 不同Mn掺杂浓度Zn_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体的制备及其性能 | 第56-71页 |
3.1 引言 | 第56页 |
3.2 实验设备与实验原料 | 第56-57页 |
3.3 实验流程 | 第57-58页 |
3.4 实验参数 | 第58-59页 |
3.5 结果与讨论 | 第59-69页 |
3.6 本章小结 | 第69-71页 |
第四章 溶胶-凝胶-旋涂法制备不同Pb空位Co掺杂PbPdO_2薄膜及其性能 | 第71-87页 |
4.1 引言 | 第71页 |
4.2 实验设备与实验原料 | 第71-72页 |
4.3 实验流程 | 第72-74页 |
4.4 实验参数 | 第74-77页 |
4.4.1 溶剂体系的选择 | 第74-75页 |
4.4.2 预烧温度的确定 | 第75-76页 |
4.4.3 旋涂法甩膜参数 | 第76页 |
4.4.4 实验参数 | 第76-77页 |
4.5 结果与讨论 | 第77-86页 |
4.6 本章小结 | 第86-87页 |
第五章 不同颗粒尺寸Co掺杂PbPdO_2薄膜的制备及其性能 | 第87-101页 |
5.1 引言 | 第87页 |
5.2 实验设备与实验原料 | 第87-88页 |
5.3 实验流程 | 第88-89页 |
5.4 实验参数 | 第89-90页 |
5.5 结果与讨论 | 第90-99页 |
5.6 本章小结 | 第99-101页 |
第六章 Mn掺杂与Co、Mn共掺杂PbPdO_2薄膜的制备及其性能 | 第101-115页 |
6.1 引言 | 第101页 |
6.2 实验设备与实验原料 | 第101-102页 |
6.3 实验流程 | 第102-103页 |
6.4 实验参数 | 第103-104页 |
6.5 结果与讨论 | 第104-113页 |
6.6 本章小结 | 第113-115页 |
第七章 全文总结、创新之处与展望 | 第115-118页 |
7.1 全文总结 | 第115-116页 |
7.2 创新之处 | 第116-117页 |
7.3 展望 | 第117-118页 |
参考文献 | 第118-135页 |
攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第135页 |