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基于ZnTe和PbPdO2磁性半导体的制备与性能研究

致谢第9-10页
摘要第10-11页
ABSTRACT第11-12页
第一章 绪论第21-43页
    1.1 自旋电子学概述第21-22页
    1.2 自旋电子学材料第22-23页
    1.3 稀磁半导体材料第23-32页
        1.3.1 Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体第25-26页
        1.3.2 Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体第26-30页
        1.3.3 稀磁半导体中的磁性机制第30-32页
    1.4 自旋零禁带半导体第32-38页
    1.5 材料制备方法第38-40页
    1.6 本文的研究内容及意义第40-43页
        1.6.1 本文的研究内容第40-41页
        1.6.2 研究意义第41-43页
第二章 水热法制备低Mn掺杂浓度Zn_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体及其性能第43-56页
    2.1 引言第43页
    2.2 实验设备与实验原料第43-44页
    2.3 实验流程第44-45页
    2.4 实验参数第45-47页
        2.4.1 溶剂体系第45-46页
        2.4.2 实验温度第46-47页
    2.5 结果与讨论第47-54页
    2.6 本章小结第54-56页
第三章 不同Mn掺杂浓度Zn_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体的制备及其性能第56-71页
    3.1 引言第56页
    3.2 实验设备与实验原料第56-57页
    3.3 实验流程第57-58页
    3.4 实验参数第58-59页
    3.5 结果与讨论第59-69页
    3.6 本章小结第69-71页
第四章 溶胶-凝胶-旋涂法制备不同Pb空位Co掺杂PbPdO_2薄膜及其性能第71-87页
    4.1 引言第71页
    4.2 实验设备与实验原料第71-72页
    4.3 实验流程第72-74页
    4.4 实验参数第74-77页
        4.4.1 溶剂体系的选择第74-75页
        4.4.2 预烧温度的确定第75-76页
        4.4.3 旋涂法甩膜参数第76页
        4.4.4 实验参数第76-77页
    4.5 结果与讨论第77-86页
    4.6 本章小结第86-87页
第五章 不同颗粒尺寸Co掺杂PbPdO_2薄膜的制备及其性能第87-101页
    5.1 引言第87页
    5.2 实验设备与实验原料第87-88页
    5.3 实验流程第88-89页
    5.4 实验参数第89-90页
    5.5 结果与讨论第90-99页
    5.6 本章小结第99-101页
第六章 Mn掺杂与Co、Mn共掺杂PbPdO_2薄膜的制备及其性能第101-115页
    6.1 引言第101页
    6.2 实验设备与实验原料第101-102页
    6.3 实验流程第102-103页
    6.4 实验参数第103-104页
    6.5 结果与讨论第104-113页
    6.6 本章小结第113-115页
第七章 全文总结、创新之处与展望第115-118页
    7.1 全文总结第115-116页
    7.2 创新之处第116-117页
    7.3 展望第117-118页
参考文献第118-135页
攻读博士学位期间取得的科研成果第135页

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