| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-11页 |
| 1.2 三维ECT国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 课题研究内容及论文章节安排 | 第14-16页 |
| 1.3.1 论文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 1.3.2 论文章节安排 | 第15-16页 |
| 第二章 自适应电容层析体成像技术 | 第16-25页 |
| 2.1 AECVT的基本原理 | 第16-19页 |
| 2.1.1 AECVT传感器 | 第16-18页 |
| 2.1.2 AECVT测量电路 | 第18-19页 |
| 2.2 AECVT传感器敏感场的数学模型 | 第19-21页 |
| 2.2.1 传感器电磁场方程的建立 | 第19-21页 |
| 2.2.2 AECVT敏感场的数学模型 | 第21页 |
| 2.3 AECVT正问题求解 | 第21-24页 |
| 2.3.1 有限元方程求解步骤 | 第21-23页 |
| 2.3.2 有限元求解软件COMSOL简介 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 AECVT快速成像策略 | 第25-35页 |
| 3.1 AECVT敏感场快速计算 | 第25-29页 |
| 3.1.1 算法推导 | 第25-27页 |
| 3.1.2 仿真结果 | 第27-29页 |
| 3.2 AECVT快速采样方法 | 第29-34页 |
| 3.2.1 不同极板间电容动态变化 | 第30-31页 |
| 3.2.2 极板间敏感场数值差异 | 第31-33页 |
| 3.2.3 AECVT快速采样方法计算时间分析 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 AECVT成像系统敏感场分析 | 第35-50页 |
| 4.1 ECVT与AECVT系统敏感场的比较 | 第35-38页 |
| 4.1.1 单层ECVT与AECVT传感器敏感场比较 | 第35-37页 |
| 4.1.2 多层ECVT与AECVT传感器敏感场比较 | 第37-38页 |
| 4.2 电压封装与AECVT敏感场的内在关系 | 第38-45页 |
| 4.2.1 电压封装线性变化下AECVT传感器敏感场比较 | 第40-42页 |
| 4.2.2 电压封装非线性变化下AECVT传感器敏感场比较 | 第42-45页 |
| 4.3 AECVT敏感场纵向信息分析 | 第45-48页 |
| 4.3.1 单一电压激励下ECVT与AECVT纵向敏感场比较 | 第45-46页 |
| 4.3.2 不同电压封装激励下AECVT纵向敏感场比较 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第50-51页 |
| 5.2 未来工作的展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第56页 |
