| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2.1 FinFET器件研究现状 | 第17-19页 |
| 1.2.2 瞬时剂量率效应研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3 论文主要工作及结构安排 | 第20-24页 |
| 第二章 辐射环境及瞬时剂量率效应机理 | 第24-36页 |
| 2.1 辐射环境 | 第24-28页 |
| 2.1.1 空间辐射环境 | 第24-25页 |
| 2.1.2 核辐射环境 | 第25-28页 |
| 2.2 瞬时剂量率效应 | 第28-32页 |
| 2.2.1 辐射损伤概述 | 第28-29页 |
| 2.2.2 瞬时剂量率效应机理 | 第29-32页 |
| 2.2.3 瞬时剂量率效应与单粒子效应的区别 | 第32页 |
| 2.3 SRAM翻转机理 | 第32-35页 |
| 2.3.1 SRAM的工作原理 | 第32-33页 |
| 2.3.2 6T SRAM单元翻转机理 | 第33-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 FinFET器件瞬时剂量率效应仿真 | 第36-54页 |
| 3.1 器件建模软件及仿真方法介绍 | 第36-39页 |
| 3.1.1 Geant4简介 | 第36-37页 |
| 3.1.2 Sentaurus TCAD简介 | 第37-38页 |
| 3.1.3 瞬时剂量率效应仿真方法简介 | 第38-39页 |
| 3.2 基于Geant4的建模仿真 | 第39-46页 |
| 3.2.1 FinFET器件的主要模型参数 | 第39-40页 |
| 3.2.2 Geant4程序设计 | 第40-45页 |
| 3.2.3 仿真结果分析 | 第45-46页 |
| 3.3 基于Sentaurus TCAD的建模仿真 | 第46-51页 |
| 3.3.1 FinFET三维器件模型 | 第46-48页 |
| 3.3.2 FinFET器件瞬时剂量率效应仿真 | 第48-49页 |
| 3.3.3 仿真结果分析 | 第49-51页 |
| 3.4 本意小结 | 第51-54页 |
| 第四章 SRAM单元瞬时剂量率效应及加固仿真 | 第54-66页 |
| 4.1 FinFET SRAM单元瞬时剂量率效应仿真 | 第54-56页 |
| 4.1.1 BSIM-CMG模型简介 | 第54-55页 |
| 4.1.2 SRAM单元电路仿真 | 第55-56页 |
| 4.2 与 65nm平面MOSFET SRAM对比 | 第56-60页 |
| 4.3 典型SRAM单元加固设计 | 第60-64页 |
| 4.3.1 抗辐射加固技术总结 | 第60-61页 |
| 4.3.2 抗辐射加固单元的比较 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 工作总结 | 第66-67页 |
| 5.2 工作展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |
