适用于UHF RFID阅读器的片内功率放大器设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-18页 |
| 1.2 CMOS功率放大器和研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 论文研究内容与贡献 | 第19页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第19-22页 |
| 第二章 射频CMOS功率放大器概述 | 第22-30页 |
| 2.1 工作原理 | 第22-23页 |
| 2.2 功率放大器分类 | 第23-26页 |
| 2.2.1 传统功率放大器 | 第23-25页 |
| 2.2.2 开关模式功率放大器 | 第25-26页 |
| 2.3 线性化技术 | 第26-28页 |
| 2.3.1 功率回退技术 | 第26-27页 |
| 2.3.2 包络反馈技术 | 第27页 |
| 2.3.3 漏端调制技术 | 第27页 |
| 2.3.4 包络恢复和消除（EER）技术 | 第27页 |
| 2.3.5 LINC技术 | 第27页 |
| 2.3.6 Doherty技术 | 第27-28页 |
| 2.3.7 预失真技术 | 第28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 线性功率放大器设计 | 第30-56页 |
| 3.1 设计指标 | 第30-33页 |
| 3.1.1 输出功率 | 第30-31页 |
| 3.1.2 效率 | 第31页 |
| 3.1.3 功率增益 | 第31页 |
| 3.1.4 线性度 | 第31-32页 |
| 3.1.5 稳定性 | 第32-33页 |
| 3.2 单端结构功率放大器 | 第33-48页 |
| 3.2.1 共源共栅结构 | 第34-36页 |
| 3.2.2 匹配 | 第36-41页 |
| 3.2.3 键合线电感 | 第41-42页 |
| 3.2.4 非线性分析 | 第42-44页 |
| 3.2.5 仿真结果 | 第44-48页 |
| 3.3 差分结构功率放大器 | 第48-54页 |
| 3.3.1 差分结构优点 | 第48-49页 |
| 3.3.2 差分结构完整电路 | 第49-50页 |
| 3.3.3 仿真结果 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 辅助模块设计 | 第56-68页 |
| 4.1 衰减器设计 | 第56-61页 |
| 4.1.1 衰减器指标 | 第56-57页 |
| 4.1.2 衰减器原理 | 第57-58页 |
| 4.1.3 电路结构 | 第58-59页 |
| 4.1.4 仿真结果 | 第59-61页 |
| 4.2 基准电路 | 第61-66页 |
| 4.2.1 基准电路指标 | 第61-62页 |
| 4.2.2 带隙基准电路原理 | 第62-64页 |
| 4.2.3 仿真结果 | 第64-66页 |
| 4.3 本章总结 | 第66-68页 |
| 第五章 整体电路和版图设计 | 第68-76页 |
| 5.1 版图设计 | 第68-69页 |
| 5.2 整体电路仿真 | 第69-74页 |
| 5.2.2 整体电路前仿真 | 第70-72页 |
| 5.2.3 整体电路后仿真 | 第72-74页 |
| 5.3 本章总结 | 第74-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 总结 | 第76页 |
| 6.2 展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
