| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 CIGS薄膜太阳电池的发展概况 | 第12-16页 |
| 1.2 CIGS薄膜太阳电池窗口层概述 | 第16-17页 |
| 1.3 CIGS薄膜太阳电池缓冲层概述 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文的研究意义及主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 基本原理 | 第20-25页 |
| 2.1 太阳电池工作原理—pn结的光生伏特效应 | 第20-21页 |
| 2.2 磁控溅射辉光放电区域的划分 | 第21-22页 |
| 2.3 半导体薄膜的光吸收过程 | 第22-23页 |
| 2.4 电子与固体相互作用 | 第23-25页 |
| 第3章 材料和器件的制备方法与表征 | 第25-47页 |
| 3.1 材料制备方法及原理 | 第25-32页 |
| 3.1.1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第25-26页 |
| 3.1.2 蒸发法(Thermal Evaporation) | 第26-28页 |
| 3.1.3 化学水浴沉积(Chemical Bath Deposition) | 第28-31页 |
| 3.1.4 低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical Bath Deposition, LPCVD) | 第31-32页 |
| 3.2 材料和器件的测试与表征 | 第32-47页 |
| 3.2.1 台阶仪 | 第32-33页 |
| 3.2.2 方块电阻 | 第33-34页 |
| 3.2.3 霍尔(Hall)测试 | 第34-35页 |
| 3.2.4 紫外-可见-近红外光谱 | 第35-38页 |
| 3.2.5 X射线衍射(XRD) | 第38-39页 |
| 3.2.6 扫描电子显微镜(SEM) | 第39-41页 |
| 3.2.7 I-V测试 | 第41-42页 |
| 3.2.8 量子效率测试(QE) | 第42-44页 |
| 3.2.9 C-V测试 | 第44-47页 |
| 第4章 窗口层材料对CIGS薄膜太阳电池的影响 | 第47-63页 |
| 4.1 衬底温度对LPCVD-ZnO及CIGS薄膜太阳电池的影响 | 第47-55页 |
| 4.2 窗口层材料对CIGS薄膜太阳电池的影响 | 第55-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 CdS缓冲层在CIGS薄膜太阳电池中的作用 | 第63-73页 |
| 5.1 不同镉源制备的CdS缓冲层对CIGS薄膜太阳电池的影响 | 第63-67页 |
| 5.2 不同厚度的CdS缓冲层对CIGS薄膜太阳电池的影响 | 第67-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第85页 |
