| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-29页 |
| 1.1 GaN HEMT功率器件的优势 | 第19-21页 |
| 1.2 GaN HEMT的研究现状 | 第21-26页 |
| 1.2.1 GaN HEMT器件的发展 | 第21-23页 |
| 1.2.2 GaN HEMT功放的研究 | 第23-25页 |
| 1.2.3 国内GaN HEMT的研究进展 | 第25-26页 |
| 1.3 本文的主要工作与研究意义 | 第26-29页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件 | 第29-39页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第29-31页 |
| 2.1.1 异质结极化效应 | 第29-30页 |
| 2.1.2 二维电子气产生机理 | 第30-31页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT工艺简介 | 第31-33页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT的主要性能参数 | 第33-36页 |
| 2.3.1 阈值电压 | 第33页 |
| 2.3.2 IV特性 | 第33-34页 |
| 2.3.3 跨导 | 第34-35页 |
| 2.3.4 截止频率和最高振荡频率 | 第35页 |
| 2.3.5 输出功率 | 第35-36页 |
| 2.3.6 功率附加效率 | 第36页 |
| 2.4 电流崩塌效应 | 第36-37页 |
| 2.5 小结 | 第37-39页 |
| 第三章 管芯效率输出的影响研究 | 第39-67页 |
| 3.1 ADS软件及EE_HEMT模型介绍 | 第39-41页 |
| 3.1.1 ADS软件 | 第39页 |
| 3.1.2 EE_HEMT模型 | 第39-41页 |
| 3.2 外部因素对PAE的影响 | 第41-50页 |
| 3.3 器件参数对PAE的影响 | 第50-64页 |
| 3.3.1 直流参数对PAE的影响 | 第51-60页 |
| 3.3.2 电荷参数对PAE的影响 | 第60-64页 |
| 3.4 小结 | 第64-67页 |
| 第四章 DRBL GaN HEMT的仿真验证 | 第67-85页 |
| 4.1 双凹陷AlGaN势垒层结构 | 第67-68页 |
| 4.2 双凹陷势垒层DRBL GaN HEMT器件 | 第68-70页 |
| 4.3 DRBL GaN HEMT的物理特性仿真 | 第70-79页 |
| 4.3.1 直流特性 | 第70-75页 |
| 4.3.2 射频特性 | 第75-79页 |
| 4.4 DRBL GaN HEMT的高能效输出验证 | 第79-83页 |
| 4.4.1 IV输出特性 | 第79-80页 |
| 4.4.2 微波特性 | 第80-83页 |
| 4.5 小结 | 第83-85页 |
| 第五章 总结与展望 | 第85-89页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第85-87页 |
| 5.2 研究展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 作者简介 | 第99-101页 |
