| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 插图清单 | 第12-14页 |
| 表格清单 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 前言 | 第15-16页 |
| 1.2 微纳米加工技术分类 | 第16-19页 |
| 1.2.1 平面工艺 | 第16-17页 |
| 1.2.2 模型工艺 | 第17页 |
| 1.2.3 探针工艺 | 第17-19页 |
| 第二章 微纳米阵列获得技术 | 第19-25页 |
| 2.1 光刻技术 | 第19-21页 |
| 2.2 微纳米压印技术 | 第21-23页 |
| 2.2.1 热压印 | 第21-22页 |
| 2.2.2 紫外压印 | 第22页 |
| 2.2.3 滚轴压印 | 第22-23页 |
| 2.3 直接赋形技术 | 第23页 |
| 2.4 本文研究内容 | 第23-25页 |
| 第三章 SU-8/PMMA双层胶软压印技术的实验研究 | 第25-49页 |
| 3.1 SU-8/PMMA双层胶压印的优势 | 第25-31页 |
| 3.1.1 双层胶结构的优点 | 第25-28页 |
| 3.1.2 SU-8和PMMA胶的优势 | 第28-30页 |
| 3.1.3 PDMS软压印的优点 | 第30-31页 |
| 3.2 实验设备材料和设备 | 第31-36页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第31-32页 |
| 3.2.2 实验设备 | 第32-36页 |
| 3.3 实验过程与内容 | 第36-41页 |
| 3.3.1 模板的制备 | 第36-38页 |
| 3.3.2 双层胶压印 | 第38-40页 |
| 3.3.3 反应离子刻蚀(ICP刻蚀) | 第40-41页 |
| 3.4 实验参数控制 | 第41-44页 |
| 3.4.1 膜厚的计算 | 第41-42页 |
| 3.4.2 压印温度压力和时间 | 第42页 |
| 3.4.3 ICP参数控制 | 第42-44页 |
| 3.5 压印实验结果与讨论 | 第44-48页 |
| 3.5.1 压印实验结果 | 第44-45页 |
| 3.5.2 压印实验问题与讨论 | 第45-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 微纳米阵列的制备 | 第49-58页 |
| 4.1 金属微纳米线阵列的制备 | 第49-51页 |
| 4.1.1 制备过程 | 第49页 |
| 4.1.2 结果与讨论 | 第49-51页 |
| 4.2 硅微纳米点阵的制备 | 第51-57页 |
| 4.2.1 金属辅助湿法刻蚀介绍 | 第51-53页 |
| 4.2.2 制备硅微纳米点阵结构的主要过程 | 第53-54页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第54-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 微纳米阵列的应用探讨 | 第58-64页 |
| 5.1 微纳米线阵列结构的应用 | 第58-62页 |
| 5.1.1 金微纳米线阵列在太赫兹波传输方面的应用 | 第58-60页 |
| 5.1.2 微纳米线阵列的其他应用 | 第60-62页 |
| 5.2 微纳米点阵结构的应用 | 第62-63页 |
| 5.2.1 硅表面结构化对太阳能电池的意义 | 第62页 |
| 5.2.2 具有点阵结构的硅片的反射率研究 | 第62-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-67页 |
| 6.1 实验内容与成果总结 | 第64-65页 |
| 6.1.1 主要实验内容 | 第64页 |
| 6.1.2 实验成果 | 第64-65页 |
| 6.2 不足与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第71页 |