碳化硅电子结构和光学性质温度依赖性的第一性原理研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 SiC 的发展现状 | 第9-10页 |
| 1.2 光学性质温度依赖性的研究背景及现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 实验方法 | 第11-12页 |
| 1.2.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第12-13页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 介电常数的认识和计算 | 第15-25页 |
| 2.1 材料极化机理 | 第15-16页 |
| 2.2 介电常数理论模型 | 第16-20页 |
| 2.2.1 Drude 模型 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Lorentz 模型 | 第18-19页 |
| 2.2.3 介电弛豫模型 | 第19-20页 |
| 2.2.4 现代理论模型 | 第20页 |
| 2.3 色散关系和 K-K 变换 | 第20-24页 |
| 2.3.1 线性响应 | 第21-22页 |
| 2.3.2 因果性原理 | 第22-23页 |
| 2.3.3 K-K 关系的推导 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 温度影响光学性质理论及计算简介 | 第25-42页 |
| 3.1 密度泛函方法 | 第25-30页 |
| 3.1.1 Hohenberg-Kohn 定理 | 第25-26页 |
| 3.1.2 Kohn-Sham 定理 | 第26-28页 |
| 3.1.3 局域密度近似（LDA） | 第28-29页 |
| 3.1.4 赝势 | 第29-30页 |
| 3.2 温度影响光学介电常数理论基础 | 第30-36页 |
| 3.2.1 晶格热膨胀 | 第30-31页 |
| 3.2.2 电子-声子相互作用 | 第31-34页 |
| 3.2.3 声子-声子相互作用 | 第34-35页 |
| 3.2.4 激子效应 | 第35-36页 |
| 3.3 不同光波段的响应机制 | 第36-39页 |
| 3.3.1 可见-紫外光波段 | 第36-38页 |
| 3.3.2 近红外光区域 | 第38-39页 |
| 3.4 常用计算软件包 | 第39-41页 |
| 3.4.1 CASTEP | 第40页 |
| 3.4.2 ABINIT | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 SiC 晶体光学性质温度依赖性研究 | 第42-63页 |
| 4.1 3C-SiC 光学性质随温度变化研究 | 第42-54页 |
| 4.1.1 参数优化 | 第42-44页 |
| 4.1.2 GW 近似计算 | 第44-45页 |
| 4.1.3 晶格热膨胀和电子能带结构的计算 | 第45-46页 |
| 4.1.4 电声相互作用处理 | 第46-47页 |
| 4.1.5 介电常数计算 | 第47-49页 |
| 4.1.6 与实验结果的对比分析 | 第49-54页 |
| 4.2 4H-SiC 光学性质研究 | 第54-57页 |
| 4.2.1 计算参数优化 | 第54-55页 |
| 4.2.2 电子能带结构计算及分析 | 第55-56页 |
| 4.2.3 光学介电常数计算与对比 | 第56-57页 |
| 4.3 6H-SiC 光学性质研究 | 第57-62页 |
| 4.3.1 计算参数优化 | 第58-59页 |
| 4.3.2 电子能带结构计算及分析 | 第59-60页 |
| 4.3.3 光学介电常数计算与对比 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
