| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| ·等离子体概述 | 第10-13页 |
| ·低温等离子体 | 第10-11页 |
| ·等离子增强型化学气相沉积(PECVD) | 第11-13页 |
| ·硅基薄膜及其发展 | 第13-15页 |
| ·氮氧化硅的性质及应用 | 第13-14页 |
| ·氮氧化硅薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
| ·脉冲放电研究 | 第15-17页 |
| ·脉冲介绍 | 第15-16页 |
| ·脉冲调制放电研究 | 第16-17页 |
| ·本文的研究内容 | 第17-18页 |
| 2 射频容性耦合等离子体的数值模拟模型 | 第18-25页 |
| ·气体反应方程 | 第18页 |
| ·流体力学模型 | 第18-25页 |
| ·离子方程组 | 第18-19页 |
| ·电子方程组 | 第19页 |
| ·中性粒子方程 | 第19页 |
| ·电场方程 | 第19-20页 |
| ·边界条件 | 第20-21页 |
| ·系数的计算 | 第21-24页 |
| ·流体力学模型的无量纲化 | 第24-25页 |
| 3 SiH_4/O_2/N_2脉冲调制射频容性放电的一维流体模拟 | 第25-59页 |
| ·相同的沉积功率密度时,占空比对放电的影响 | 第25-32页 |
| ·电子密度、电子温度和平均电势 | 第25-28页 |
| ·负离子密度及电负性 | 第28-30页 |
| ·正离子能量和中性粒子密度 | 第30-32页 |
| ·本节小结 | 第32页 |
| ·相同的射频电压时,占空比对放电的影响 | 第32-37页 |
| ·电子密度、电子温度和沉积功率密度 | 第32-34页 |
| ·电子、硅烷负离子及电负性 | 第34-36页 |
| ·正离子和中性粒子密度 | 第36-37页 |
| ·正离子平均速度和平均通量 | 第37页 |
| ·本节小结 | 第37页 |
| ·脉冲调制频率对放电的影响 | 第37-43页 |
| ·电子密度和电子温度 | 第38-39页 |
| ·负离子密度和电负性 | 第39-40页 |
| ·电场强度、正离子平均速度和通量 | 第40-42页 |
| ·沉积功率密度和中性粒子密度 | 第42页 |
| ·本节小结 | 第42-43页 |
| ·气体压强对放电的影响 | 第43-49页 |
| ·电子密度、电子温度和平均电势 | 第43-45页 |
| ·负离子密度和电负性 | 第45-46页 |
| ·中性粒子密度 | 第46-47页 |
| ·正离子能量和平均速度、平均通量 | 第47-49页 |
| ·本节小结 | 第49页 |
| ·极板宽度对放电的影响 | 第49-54页 |
| ·平均电势、负离子密度和电负性 | 第50-51页 |
| ·电子温度 | 第51-52页 |
| ·正离子密度和能量 | 第52-54页 |
| ·本节小结 | 第54页 |
| ·射频电压幅值对放电的影响 | 第54-59页 |
| ·电子、负离子密度和电负性 | 第54-56页 |
| ·电子温度 | 第56页 |
| ·正离子能量和中性粒子密度 | 第56-58页 |
| ·本节小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录A 硅烷、氧气和氮气放电过程中的反应方程式 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |