| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 TFT的工作原理及主要性能参数 | 第13-19页 |
| 1.2.1 TFT的基本结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 TFT的工作原理 | 第14-16页 |
| 1.2.3 TFT的主要性能参数 | 第16-19页 |
| 1.3 TFT的发展历程 | 第19-21页 |
| 1.3.1 非晶硅TFT | 第19页 |
| 1.3.2 多晶硅TFT | 第19-20页 |
| 1.3.3 有机半导体TFT | 第20页 |
| 1.3.4 氧化物TFT | 第20-21页 |
| 1.4 氧化物TFT的研究现状 | 第21-24页 |
| 1.5 本论文的选题依据以及主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 样品的制备技术以及表征手段 | 第26-35页 |
| 2.1 样品的制备技术 | 第26-31页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜仪 | 第26-27页 |
| 2.1.2 多层镀膜机 | 第27-28页 |
| 2.1.3 退火工艺 | 第28-29页 |
| 2.1.4 薄膜的图形化 | 第29-31页 |
| 2.2 薄膜的表征手段以及器件的电学性能测试系统 | 第31-35页 |
| 2.2.1 台阶仪 | 第31-32页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪（XRD） | 第32页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM） | 第32-33页 |
| 2.2.4 光致发光谱（PL） | 第33页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱仪（XPS） | 第33页 |
| 2.2.6 能量分散谱仪（EDS） | 第33-34页 |
| 2.2.7 霍尔效应测试仪（Hall） | 第34页 |
| 2.2.8 TFT器件电学性能测试仪 | 第34-35页 |
| 第3章 ZnO-TFT器件的制备工艺探索 | 第35-47页 |
| 3.1 TFT器件的结构设计和制备 | 第35-37页 |
| 3.1.1 衬底清洗 | 第35-36页 |
| 3.1.2 磁控溅射制备有源层薄膜的过程 | 第36-37页 |
| 3.1.3 电阻热蒸发制备金属电极 | 第37页 |
| 3.2 基于金属掩膜板工艺的大尺寸ZnO-TFT器件制备 | 第37-41页 |
| 3.2.1 有源层的制备 | 第37-38页 |
| 3.2.2 源漏电极的制备 | 第38-39页 |
| 3.2.3 TFT器件性能分析 | 第39-41页 |
| 3.3 基于光刻工艺的小尺寸ZnO-TFT器件制备 | 第41-46页 |
| 3.3.1 有源层薄膜的制备 | 第41页 |
| 3.3.2 源漏电极的制备和图形化 | 第41-43页 |
| 3.3.3 TFT器件性能分析 | 第43页 |
| 3.3.4 有源层的图形化 | 第43-45页 |
| 3.3.5 TFT器件性能分析 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 氧气流量对IGZO-TFT器件性能的影响及机理分析 | 第47-58页 |
| 4.1 氧气流量对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第47-51页 |
| 4.1.1 IGZO-TFT器件的制备 | 第47-48页 |
| 4.1.2 IGZO-TFT器件性能与分析 | 第48-51页 |
| 4.2 氧气流量对IGZO薄膜性能的影响 | 第51-55页 |
| 4.2.1 氧气流量对IGZO薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.2 氧气流量对IGZO薄膜微观结构的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.3 氧气流量对IGZO薄膜表面粗糙度的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.4 氧气流量对IGZO薄膜发光性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.3 氧气流量对器件性能影响的机理分析 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第5章 空气退火对IGZO-TFT器件性能的影响及机理分析 | 第58-72页 |
| 5.1 空气退火对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第58-61页 |
| 5.1.1 IGZO-TFT器件的制备和退火工艺参数 | 第58页 |
| 5.1.2 IGZO-TFT器件性能与分析 | 第58-61页 |
| 5.2 空气退火对IGZO薄膜性能的影响 | 第61-67页 |
| 5.2.1 空气退火对IGZO薄膜微观结构的影响 | 第61-62页 |
| 5.2.2 空气退火对IGZO薄膜表面粗糙度的影响 | 第62-64页 |
| 5.2.3 空气退火对IGZO薄膜发光性能的影响 | 第64-65页 |
| 5.2.4 空气退火IGZO薄膜的XPS测试分析 | 第65-66页 |
| 5.2.5 空气退火IGZO薄膜的EDS测试分析 | 第66-67页 |
| 5.3 空气退火对器件性能影响的机理分析 | 第67-68页 |
| 5.4 退火顺序对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第68页 |
| 5.5 400℃空气退火对IGZO-TFT偏压稳定性的影响 | 第68-71页 |
| 5.5.1 偏压稳定性的测试 | 第69页 |
| 5.5.2 实验结果与分析 | 第69-71页 |
| 5.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 第6章 有源层厚度对IGZO-TFT器件性能的影响及机理分析 | 第72-78页 |
| 6.1 有源层厚度对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第72-76页 |
| 6.1.1 不同有源层厚度IGZO-TFT器件的制备 | 第72页 |
| 6.1.2 有源层厚度对IGZO-TFT器件性能的影响及机理分析 | 第72-76页 |
| 6.2 本章小结 | 第76-78页 |
| 第7章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第86页 |
