| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 MAX相材料概述 | 第10-14页 |
| 1.1.1 MAX相材料的性能 | 第11-13页 |
| 1.1.2 MAX相材料的应用 | 第13-14页 |
| 1.2 MAX相材料的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3 MAX相表面A元素晶须自发生长 | 第15-21页 |
| 1.3.1 MAX相表面A元素晶须自发生长现象 | 第15-16页 |
| 1.3.2 MAX相表面A元素晶须自发生长机理研究 | 第16-19页 |
| 1.3.3 与MAX相表面A元素晶须类似的金属晶须自发生长问题 | 第19-21页 |
| 1.4 本课题研究所需解决的关键问题 | 第21页 |
| 1.5 本课题研究的意义 | 第21-23页 |
| 第二章 技术路线与研究方法 | 第23-32页 |
| 2.1 实验技术路线 | 第23-24页 |
| 2.2 实验原材料 | 第24页 |
| 2.3 实验所用设备介绍 | 第24-29页 |
| 2.3.1 KTL-1600管式烧结炉 | 第25-26页 |
| 2.3.2 24T压片机 | 第26-27页 |
| 2.3.3 其他试验设备 | 第27-29页 |
| 2.4 实验方法 | 第29-31页 |
| 2.4.1 无压反应烧结法制备Cr_2GaC粉体 | 第29页 |
| 2.4.2 无压反应烧结法制备Cr_2GaC烧结体 | 第29-30页 |
| 2.4.3 Cr_2GaC表面Ga晶须自发生长规律研究 | 第30-31页 |
| 2.4.3.1 Cr_2GaC坯体 | 第30-31页 |
| 2.4.3.2 Cr_2GaC烧结体 | 第31页 |
| 2.5 表征手段 | 第31-32页 |
| 2.5.1 密度 | 第31页 |
| 2.5.2 微观组织观察与结构分析 | 第31-32页 |
| 第三章 Cr_2GaC材料的制备 | 第32-38页 |
| 3.1 温度对Cr/Ga/C合成产物相组成的影响 | 第32-34页 |
| 3.1.1 实验部分 | 第32-33页 |
| 3.1.2 实验结果与分析 | 第33-34页 |
| 3.1.3 温度对Cr/Ga/C合成产物相组成的影响 | 第34页 |
| 3.2 Ga含量对产物相组成的影响 | 第34-37页 |
| 3.2.1 实验部分 | 第34-35页 |
| 3.2.2 实验结果与分析 | 第35-36页 |
| 3.2.3 Ga含量对Cr/Ga/C无压反应烧结合成产物相组成的影响 | 第36-37页 |
| 3.3 本章结论 | 第37-38页 |
| 第四章 Cr_2GaC坯体表面Ga晶须自发生长规律及其机理 | 第38-54页 |
| 4.1 Ga晶须自发生长的影响因素 | 第38-45页 |
| 4.1.1 实验部分 | 第38-39页 |
| 4.1.2 实验结果及分析 | 第39-44页 |
| 4.1.2.1 Cr_2GaC胚体原始形貌 | 第39-40页 |
| 4.1.2.2 样品表面晶须自发生长过程 | 第40-41页 |
| 4.1.2.3 Ga含量对晶须生长的影响 | 第41-43页 |
| 4.1.2.4 球磨对Ga晶须生长的影响 | 第43页 |
| 4.1.2.5 环境温度对于晶须自发生长的影响 | 第43-44页 |
| 4.1.3 小结 | 第44-45页 |
| 4.2 Cr_2GaC坯体表面Ga晶须自发生长机理 | 第45-53页 |
| 4.2.1 Ga晶须与一般金属晶须的典型特征 | 第45页 |
| 4.2.2 质疑压应力机理 | 第45-49页 |
| 4.2.2.1 簇状晶须 | 第45-46页 |
| 4.2.2.2 基体孔隙尺寸和晶须尺寸的对比 | 第46-47页 |
| 4.2.2.3 压应力小的区域长出较多晶须 | 第47-48页 |
| 4.2.2.4 曲率变小的螺旋晶须 | 第48页 |
| 4.2.2.5 晶须表面不变形的颗粒 | 第48-49页 |
| 4.2.3 Ga晶须自发生长的催化机理 | 第49-53页 |
| 4.2.3.1 Cr_2GaC的晶体结构及Ga晶须生长的形核位置 | 第49-50页 |
| 4.2.3.2 球磨的重要作用 | 第50页 |
| 4.2.3.3 晶须生长的形态学分析 | 第50-52页 |
| 4.2.3.4 Ga晶须自发生长孕育期 | 第52页 |
| 4.2.3.5 未来的挑战 | 第52-53页 |
| 4.2.4 小结 | 第53页 |
| 4.3 本章结论 | 第53-54页 |
| 第五章 Cr_2GaC烧结体表面Ga晶须自发生长规律 | 第54-68页 |
| 5.1 Ga含量对Cr_2GaC烧结体表面Ga晶须自发生长的影响 | 第54-58页 |
| 5.1.1 实验部分 | 第54-55页 |
| 5.1.2 实验结果及分析 | 第55-58页 |
| 5.1.2.1 烧结体外观形貌变化 | 第55页 |
| 5.1.2.2 Cr_2GaC烧结体表面SEM形貌 | 第55-58页 |
| 5.1.3 小结 | 第58页 |
| 5.2 致密度对Cr_2GaC烧结体表面Ga晶须自发生长的影响 | 第58-67页 |
| 5.2.1 实验部分 | 第58-59页 |
| 5.2.2 实验结果及分析 | 第59-66页 |
| 5.2.2.1 样品外观形貌 | 第59-62页 |
| 5.2.2.2 Cr_2GaC烧结体表面形貌 | 第62-66页 |
| 5.2.3 小结 | 第66-67页 |
| 5.3 本章结论 | 第67-68页 |
| 第六章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 结论 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
