多孔硅含能芯片的能量释放特性和规律研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 多孔硅薄膜材料的研究进展 | 第9-12页 |
| 1.1.1 多孔硅薄膜的形成机理 | 第9页 |
| 1.1.2 多孔硅薄膜的制备方法 | 第9-12页 |
| 1.1.3 多孔硅薄膜的应用 | 第12页 |
| 1.2 多孔硅纳米含能材料的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.2.1 多孔硅纳米含能材料的制备 | 第12-13页 |
| 1.2.2 多孔硅纳米含能材料的反应性能研究 | 第13-15页 |
| 1.2.3 多孔硅纳米含能材料的应用 | 第15页 |
| 1.3 本文的研究目的和意义 | 第15-16页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第16-17页 |
| 2 多孔硅含能芯片的制作工艺与表征 | 第17-32页 |
| 2.1 多孔硅含能芯片的制作工艺 | 第17-25页 |
| 2.1.1 多孔硅薄膜的制备 | 第17-20页 |
| 2.1.2 多孔硅含能芯片的制备 | 第20-22页 |
| 2.1.3 多孔硅含能芯片封装的初步研究 | 第22-25页 |
| 2.2 多孔硅含能芯片的表征与能量特性研究 | 第25-30页 |
| 2.2.1 多孔硅薄膜形貌表征 | 第25-28页 |
| 2.2.2 多孔硅含能薄膜的表征与能量特性研究 | 第28-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-32页 |
| 3 多孔硅含能芯片的输出特性和规律研究 | 第32-44页 |
| 3.1 电点火反应过程观察 | 第32-33页 |
| 3.1.1 点火过程 | 第32页 |
| 3.1.2 结果与讨论 | 第32-33页 |
| 3.2 反应延迟时间研究 | 第33-35页 |
| 3.2.1 测试方法 | 第33-34页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第34-35页 |
| 3.3 输出压力研究 | 第35-42页 |
| 3.3.1 研究输出压力的意义 | 第35-36页 |
| 3.3.2 微型密闭爆发器设计 | 第36-37页 |
| 3.3.3 输出压力测试 | 第37-38页 |
| 3.3.4 结果与讨论 | 第38-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 多孔硅含能芯片的推进特性和规律研究 | 第44-53页 |
| 4.1 测试原理与平台 | 第44-45页 |
| 4.1.1 测试原理 | 第44页 |
| 4.1.2 冲量测试平台 | 第44-45页 |
| 4.2 冲量测试实验 | 第45-46页 |
| 4.2.1 不同样品放置方式下的冲量测试 | 第45页 |
| 4.2.2 不同点火电压下的冲量测试 | 第45-46页 |
| 4.2.3 不同封装处理下的冲量测试 | 第46页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第46-52页 |
| 4.3.1 参数标定 | 第46页 |
| 4.3.2 样品放置方式对冲量的影响 | 第46-48页 |
| 4.3.3 点火电压对冲量的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.4 封装结构对冲量的影响 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 附录 | 第62页 |
