| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 电子真空器件 | 第12-20页 |
| 1.2.1 带状束器件 | 第13-16页 |
| 1.2.2 扩展互作用器件 | 第16-18页 |
| 1.2.3 带状束扩展互作用器件及其发展 | 第18-20页 |
| 1.2.4 仿真和加工技术的发展 | 第20页 |
| 1.3 论文选题的依据、研究方向与意义 | 第20-21页 |
| 1.4 本文主要内容和创新点 | 第21-23页 |
| 第二章 带状束扩展互作用器件的设计理论 | 第23-36页 |
| 2.1 速调管设计的基本理论 | 第23-31页 |
| 2.1.1 速度调制 | 第24-26页 |
| 2.1.2 漂移管内的群聚现象 | 第26页 |
| 2.1.3 群聚电流 | 第26-28页 |
| 2.1.4 高频间隙中注与场能量交换 | 第28-29页 |
| 2.1.5 间隙的电子负载 | 第29-31页 |
| 2.2 扩展互作用高频结构 | 第31-32页 |
| 2.2.1 腔体特性 | 第31页 |
| 2.2.2 模式命名 | 第31-32页 |
| 2.3 效率的计算 | 第32页 |
| 2.4 谐振腔的特性 | 第32-34页 |
| 2.5 高频结构设计软件 | 第34-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 Ka波段带状束扩展互作用振荡管的设计 | 第36-64页 |
| 3.1 Ka波段改进的梯形高频结构设计 | 第36-46页 |
| 3.1.1 工作模式的选择 | 第37-40页 |
| 3.1.2 工作模 2π 模的调制过程 | 第40-44页 |
| 3.1.3 互作用间隙数量的影响 | 第44-46页 |
| 3.2 高频结构的粒子模拟验证 | 第46-59页 |
| 3.2.1 纵向均匀型电子通道高频结构粒子模拟仿真 | 第46-51页 |
| 3.2.1.1 互作用间隙的长度的选取 | 第48-49页 |
| 3.2.1.2 互作用间隙数量的选取 | 第49-50页 |
| 3.2.1.3 电子通道高度的影响 | 第50-51页 |
| 3.2.2 纵向电场分布的优化调整 | 第51-54页 |
| 3.2.3 同步条件的优化—相位重匹配 | 第54-56页 |
| 3.2.4 引出竞争模式抑制振荡 | 第56-59页 |
| 3.3 实际加工的低填充比模型仿真 | 第59-61页 |
| 3.3.1 壁损耗和电子流通 | 第59-60页 |
| 3.3.2 低填充比实验样管的仿真 | 第60-61页 |
| 3.4 模型加工 | 第61-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 低填充比模型的冷腔测试 | 第64-74页 |
| 4.1 冷测 | 第64-66页 |
| 4.1.1 冷测的基本原理 | 第64-65页 |
| 4.1.2 冷测实验过程 | 第65-66页 |
| 4.2 工作模式的识别 | 第66-70页 |
| 4.2.1 三坐标仪测量模型 | 第66-68页 |
| 4.2.2 测量数据建模仿真与模式识别 | 第68-70页 |
| 4.3 冷测结果与仿真结果分析 | 第70-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章W波段带状束扩展互作用腔的设计 | 第74-89页 |
| 5.1 W波段SBEIO的设计意义 | 第74页 |
| 5.2 高频谐振腔的设计 | 第74-82页 |
| 5.2.1 初步设计 | 第74页 |
| 5.2.2 展宽带状电子束 | 第74-77页 |
| 5.2.3 增加间隙数目 | 第77-80页 |
| 5.2.4 高频结构的热分析和应力分析 | 第80-82页 |
| 5.3 W波段SBEIO的冷测实验 | 第82-83页 |
| 5.4 W波段SBEIO的热测实验 | 第83-88页 |
| 5.4.1 热测实验平台 | 第84-85页 |
| 5.4.2 电子注流通测试 | 第85-86页 |
| 5.4.3 功率测试和结果分析 | 第86-88页 |
| 5.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 总结和展望 | 第89-91页 |
| 6.1 全文总结 | 第89-90页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-99页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第99-100页 |