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体硅RESURF LDMOS埋层设计研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
引言第9-10页
1 研究背景第10-16页
   ·功率半导体器件的发展第10-11页
   ·LDMOS器件的发展现状第11-12页
   ·RESURF技术的发展第12-14页
   ·本论文主要工作第14-16页
2 P-top层对Double-RESURF LDMOS器件击穿电压和比导通电阻的影响第16-30页
   ·体硅Double-RESURF技术第16-18页
   ·P-top层浓度对器件击穿电压和比导通电阻的影响第18-23页
   ·P-top层厚度对器件击穿电压和比导通电阻的影响第23-29页
     ·N型漂移区浓度不变第23-25页
     ·P-top层浓度不变第25-29页
   ·本章小结第29-30页
3 P型埋层对Triple-RESURF LDMOS导通电阻和耐压的影响第30-51页
   ·体硅Triple-RESURF技术第30-31页
   ·P型埋层深度对器件击穿电压和导通电阻影响第31-41页
     ·P型埋层靠近表面且漂移区浓度较高第31-33页
     ·P型埋层靠近表面且漂移区浓度较低第33-36页
     ·P型埋层靠近村底且漂移区浓度较高第36-39页
     ·P型埋层靠近村底且漂移区浓度较低第39-41页
   ·P型埋层厚度对器件击穿电压和导通电阻影响第41-44页
   ·P型埋层浓度对器件击穿电压和导通电阻影响第44-49页
     ·N漂移区浓度改变第45-47页
     ·N型漂移区浓度不变第47-49页
   ·本章小结第49-51页
结论第51-53页
参考文献第53-55页
攻读硕士学位期间发表论文及科研成果第55-56页
致谢第56-57页

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