| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 研究背景 | 第10-16页 |
| ·功率半导体器件的发展 | 第10-11页 |
| ·LDMOS器件的发展现状 | 第11-12页 |
| ·RESURF技术的发展 | 第12-14页 |
| ·本论文主要工作 | 第14-16页 |
| 2 P-top层对Double-RESURF LDMOS器件击穿电压和比导通电阻的影响 | 第16-30页 |
| ·体硅Double-RESURF技术 | 第16-18页 |
| ·P-top层浓度对器件击穿电压和比导通电阻的影响 | 第18-23页 |
| ·P-top层厚度对器件击穿电压和比导通电阻的影响 | 第23-29页 |
| ·N型漂移区浓度不变 | 第23-25页 |
| ·P-top层浓度不变 | 第25-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 3 P型埋层对Triple-RESURF LDMOS导通电阻和耐压的影响 | 第30-51页 |
| ·体硅Triple-RESURF技术 | 第30-31页 |
| ·P型埋层深度对器件击穿电压和导通电阻影响 | 第31-41页 |
| ·P型埋层靠近表面且漂移区浓度较高 | 第31-33页 |
| ·P型埋层靠近表面且漂移区浓度较低 | 第33-36页 |
| ·P型埋层靠近村底且漂移区浓度较高 | 第36-39页 |
| ·P型埋层靠近村底且漂移区浓度较低 | 第39-41页 |
| ·P型埋层厚度对器件击穿电压和导通电阻影响 | 第41-44页 |
| ·P型埋层浓度对器件击穿电压和导通电阻影响 | 第44-49页 |
| ·N漂移区浓度改变 | 第45-47页 |
| ·N型漂移区浓度不变 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及科研成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
